[發明專利]半導體器件的制作方法及半導體器件

有效

• 申請號: 201410363920.X
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN105336681B
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 賀吉偉;王剛寧;朱巖巖;劉麗;馮喆韻;蒲賢勇;孫濤
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/768
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 吳貴明,張永明

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供襯底，所述襯底內形成有埋入層；

刻蝕所述襯底形成第一淺溝槽，所述第一淺溝槽的深度小于所述埋入層在所述襯底內的深度，并將相鄰所述第一淺溝槽之間的所述襯底作為有源區；

形成覆蓋所述第一淺溝槽和所述襯底的隔離物質層；

刻蝕所述隔離物質層和所述襯底，形成使部分所述埋入層暴露的凹槽，其中，所述第一淺溝槽位于所述有源區和所述凹槽之間；在所述凹槽中形成填充材料層。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一淺溝槽的步驟包括：

在所述襯底的表面上形成掩膜層；

依次刻蝕所述掩膜層和所述襯底，以形成所述第一淺溝槽；

去除剩余的所述掩膜層。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，形成所述凹槽的步驟包括：

沿對應于欲形成所述凹槽的位置向下刻蝕所述隔離物質層至所述襯底的表面裸露，形成橫截面積大于所欲形成凹槽的橫截面積的第一通孔；以及

沿所述第一通孔向下刻蝕所述襯底，形成所述凹槽。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述凹槽中形成所述填充材料層的步驟之后，所述制作方法還包括：沿對應于所述有源區的位置刻蝕所述隔離物質層，以露出所述有源區的表面。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一淺溝槽的步驟中，在所述第一淺溝槽遠離所述有源區一側的所述襯底中形成第二淺溝槽。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一淺溝槽和所述第二淺溝槽的步驟包括：

在所述襯底的表面上形成掩膜層；

依次刻蝕所述掩膜層和所述襯底，以形成所述第一淺溝槽和所述第二淺溝槽。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成所述隔離物質層的步驟中，在所述第一淺溝槽、所述第二淺溝槽和剩余的所述掩膜層上形成所述隔離物質層。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述凹槽的步驟包括：

沿對應于欲形成所述凹槽的位置向下刻蝕所述隔離物質層至所述掩膜層的表面裸露，形成橫截面積大于所欲形成凹槽的橫截面積的第一通孔；

沿所述第一通孔刻蝕去除所述掩膜層，在所述隔離物質層中形成第二通孔；

沿所述第二通孔向下刻蝕所述襯底，以形成所述凹槽。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述凹槽中形成所述填充材料層的步驟之后，所述制作方法還包括：

平坦化處理所述隔離物質層，以使剩余的所述掩膜層表面裸露；以及

去除剩余的所述掩膜層，以暴露出所述有源區的表面。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的制作方法，其特征在于，

所述填充材料層為隔離材料層；或者

所述填充材料層包括：形成于所述凹槽內壁上的隔離材料層和位于所述隔離材料層中的導電材料層。

11.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述填充材料層包括形成于所述凹槽內壁上的所述隔離材料層和位于所述隔離材料層中的所述導電材料層時，形成所述填充材料層的步驟包括：

對所述凹槽內壁上的所述襯底進行熱氧化處理以形成所述隔離材料層，以及在經所述熱氧化處理后的所述凹槽中填充導電材料形成所述導電材料層；或者

在所述凹槽的內壁上沉積形成所述隔離材料層，并在形成有所述隔離材料層的所述凹槽填充導電材料形成所述導電材料層。

12.根據權利要求1至9中任一項所述的制作方法，其特征在于，所述埋入層為N型層或P型層。

13.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件由權利要求1至12中任一項所述的制作方法制作而成。