[發明專利]氧化鋅錫陶瓷靶的制備工藝及使用該靶材制備氧化鋅錫鍍膜的方法

無效

• 申請號: 201410363823.0
• 申請日: 2014-07-29
• 公開（公告）號: CN104087906A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 林嘉佑
• 申請（專利權）人: 林嘉佑
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 王光輝

技術領域

本發明涉及磁控濺射鍍膜玻璃制造技術領域，尤其涉及一種氧化鋅錫陶瓷靶的制備工藝及使用該靶材制備氧化鋅錫鍍膜的方法。

背景技術

在磁控濺射鍍膜領域，傳統的氧化鋅錫薄膜均通過鋅錫合金靶在氬氣、氧氣氛圍中鍍制。為獲得化學計量比的氧化鋅錫薄膜，在實際的工藝控制中，氧氣的流量控制存在一定的難度。特別地，針對大面積鍍膜玻璃技術領域，當在沉積上述氧化鋅錫薄膜時，氧氣流量過大，在富氧情況下勢必容易導致作為紅外反射功能層的Ag層氧化；當氧氣流量不足，在缺氧情況下，將會導致濺射工藝穩定性差，例如電壓大幅度波動，且所獲得的薄膜為非化學計量比的氧化鋅錫薄膜。更嚴重地，所獲得的薄膜呈金屬態，對玻璃鍍膜制品的熱工性能、外觀品質，以及理化特性均帶來極大的負面影響。

尋求一種工藝控制簡單，化學計量比適當的氧化鋅錫薄膜制備技術已成為本領域技術人員亟待解決的技術問題之一。

故針對現有技術存在的問題，本案設計人憑借從事此行業多年的經驗，積極研究改良，于是有了本發明氧化鋅錫陶瓷靶的制備工藝及使用該靶材制備氧化鋅錫鍍膜的方法。

發明內容

本發明是針對現有技術中，傳統的氧化鋅錫薄膜的制備是通過鋅錫合金靶，在氬氣、氧氣氛圍下進行鍍制，但該工藝很難獲得化學計量比的氧化鋅錫薄膜，且富氧狀態易于造成低輻射鍍膜的紅外反射功能層氧化等缺陷而提供一種氧化鋅錫陶瓷靶。

本發明的又一目的是針對現有技術中，傳統的氧化鋅錫薄膜的制備是通過鋅錫合金靶，在氬、氧氛圍下進行鍍制，但該工藝很難獲得化學計量比的氧化鋅錫薄膜，且富氧狀態易于造成低輻射鍍膜的紅外反射功能層氧化等缺陷而提供一種氧化鋅錫陶瓷靶的制備方法。

本發明的第三目的是針對現有技術中，傳統的氧化鋅錫薄膜的制備是通過鋅錫合金靶，在氬、氧氛圍下進行鍍制，但該工藝很難獲得化學計量比的氧化鋅錫薄膜，且富氧狀態易于造成低輻射鍍膜的紅外反射功能層氧化等缺陷而提供一種利用氧化鋅錫陶瓷靶制備的氧化鋅錫薄膜。

本發明的第四目的是針對現有技術中，傳統的氧化鋅錫薄膜的制備是通過鋅錫合金靶，在氬、氧氛圍下進行鍍制，但該工藝很難獲得化學計量比的氧化鋅錫薄膜，且富氧狀態易于造成低輻射鍍膜的紅外反射功能層氧化等缺陷而提供一種利用氧化鋅錫陶瓷靶制備氧化鋅錫薄膜的制備方法。

????本發明提出一種氧化鋅錫陶瓷靶，其特征在于，所述氧化鋅錫陶瓷靶包括純度為99.99%的氧化鋅粉體和純度為99.99%的氧化錫粉體混合而成，其中，所述氧化鋅粉體和所述氧化錫粉體的質量百分比為6:4～7:3的任一配比。

本發明還提出一種上述的氧化鋅錫陶瓷靶的制備工藝，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：分別量取純度為99.99%的氧化鋅粉體和純度為99.99%的氧化錫粉體，并以氧化鋅粉體和氧化錫粉體的質量百分比為6:4～7:3的任一配比進行混合，形成混合粉體；

步驟S2：在所述混合粉體中添加去離子水，并添加有機助劑，形成第一混合漿料，球磨12～24h；

步驟S3：在所述第一混合漿料中進一步添加有機粘結劑，形成第二混合漿料，并持續研磨2～3h；

步驟S4：將所述第二混合漿料進行噴霧干燥造粒處理，使得所述干燥后粉體的粒徑為10～100μm；

步驟S5：將所述干燥后的粉體填充于靶材模具中，并在1～3T/cm-2的壓力下加工成型，獲得相對密度大于50%的胚體；

步驟S6：將所述胚體在400～600℃凈化空氣爐中保溫2～5h，以脫除有機添加劑；

步驟S7：對脫除有機添加劑的所述胚體升溫至1250～1600℃，燒結形成氧化鋅錫陶瓷靶。

優選地，所述有機助劑為0.2～0.6?wt%的三乙醇胺。

優選地，所述有機粘結劑為0.5～2?wt%的聚乙烯醇。

????本發明還提出使用上述的氧化鋅錫陶瓷靶制備氧化鋅錫膜的方法，其特征在于，使用氧化鋅錫陶瓷靶在純氬氣氛圍下，進行磁控濺射。

????本發明還提出使用上述的氧化鋅錫陶瓷靶制備氧化鋅錫膜的方法，其特征在于，使用氧化鋅錫陶瓷靶在通入氬氣和氧氣流量為0～150sccm的任一取值的氛圍下，進行磁控濺射。

本發明還提出使用上述的氧化鋅錫陶瓷靶制備氧化鋅錫膜的方法制備的鍍膜，其特征在于，所述氧化鋅錫鍍膜應用于低輻射鍍膜玻璃之中。