[發明專利]氧化鋅錫陶瓷靶的制備工藝及使用該靶材制備氧化鋅錫鍍膜的方法

無效

• 申請號: 201410363823.0
• 申請日: 2014-07-29
• 公開（公告）號: CN104087906A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 林嘉佑
• 申請（專利權）人: 林嘉佑
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 王光輝

1.一種氧化鋅錫陶瓷靶，其特征在于，所述氧化鋅錫陶瓷靶包括純度為99.99%的氧化鋅粉體和純度為99.99%的氧化錫粉體混合而成，其中，所述氧化鋅粉體和所述氧化錫粉體的質量百分比為6:4～7:3的任一配比。

2.一種如權利要求1所述的氧化鋅錫陶瓷靶的制備工藝，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：分別量取純度為99.99%的氧化鋅粉體和純度為99.99%的氧化錫粉體，并以氧化鋅粉體和氧化錫粉體的質量百分比為6:4～7:3的任一配比進行混合，形成混合粉體；

步驟S2：在所述混合粉體中添加去離子水，并添加有機助劑，形成第一混合漿料，球磨12～24h；

步驟S3：在所述第一混合漿料中進一步添加有機粘結劑，形成第二混合漿料，并持續研磨2～3h；

步驟S4：將所述第二混合漿料進行噴霧干燥造粒處理，使得所述干燥后粉體的粒徑為10～100μm；

步驟S5：將所述干燥后的粉體填充于靶材模具中，并在1～3T/cm-2的壓力下加工成型，獲得相對密度大于50%的胚體；

步驟S6：將所述胚體在400～600℃凈化空氣爐中保溫2～5h，以脫除有機添加劑；

步驟S7：對脫除有機添加劑的所述胚體升溫至1250～1600℃，燒結形成氧化鋅錫陶瓷靶。

3.如權利要求2所述的氧化鋅錫陶瓷靶的制備工藝，其特征在于，所述有機助劑為0.2～0.6?wt%的三乙醇胺。

4.如權利要求2所述的氧化鋅錫陶瓷靶的制備工藝，其特征在于，所述有機粘結劑為0.5～2?wt%的聚乙烯醇。

5.使用如權利要求1-4之一所述的氧化鋅錫陶瓷靶制備氧化鋅錫膜的方法，其特征在于，使用氧化鋅錫陶瓷靶在純氬氣氛圍下，進行磁控濺射。

6.使用如權利要求1-4之一所述的氧化鋅錫陶瓷靶制備氧化鋅錫膜的方法，其特征在于，使用氧化鋅錫陶瓷靶在通入氬氣和氧氣流量為0～150sccm的任一取值的氛圍下，進行磁控濺射。

7.使用如權利要求1-6之一所述的氧化鋅錫陶瓷靶制備氧化鋅錫膜的方法制備的鍍膜，其特征在于，所述氧化鋅錫鍍膜應用于低輻射鍍膜玻璃之中。