[發明專利]一種制備氮化物單晶體材料的工業化裝置及方法

有效

• 申請號: 201410363568.X
• 申請日: 2014-07-29
• 公開（公告）號: CN104131351B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 劉南柳;陳蛟;鄭小平;張國義
• 申請（專利權）人: 北京大學東莞光電研究院
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B19/06
• 代理公司: 東莞市冠誠知識產權代理有限公司44272
• 代理人: 楊正坤

1.一種制備氮化物單晶體材料的工業化裝置，其特征在于：包括反應釜體（1）、N₂輸入通道（51）、N₂輸入通道閥門（61）、坩堝（9）和N₂供應裝置，所述N₂通過N₂輸入通道（51）和N₂輸入通道閥門（61）通入所述反應釜體（1）內的反應室N₂區域（2），所述反應室N₂區域（2）通過所述N₂供應裝置與所述坩堝（9）內的反應室Ga-Na溶液區域（3）連通；所述N₂供應裝置包括N₂循環通道（52）、N₂循環通道閥門（62）、N₂循環通道高位分閥門（63）、N₂循環通道低位分閥門（64）、高位加壓裝置（71）、低位加壓裝置（72）、高位供N₂終端口（81）和低位供N₂終端口（82）；所述N₂循環通道（52）的一端與所述反應室N₂區域（2）連通，所述N₂循環通道（52）的另一端通過所述高位供N₂終端口（81）、低位供N終端口（82）與所述反應室Ga-Na溶液區域（3）連通；所述N₂循環通道高位分閥門（63）、高位加壓裝置（71）控制所述高位供N₂終端口（81）的流通，所述N₂循環通道低位分閥門（64）、低位加壓裝置（72）控制所述低位供N₂終端口（82）的流通。

2.根據權利要求1所述的一種制備氮化物單晶體材料的工業化裝置，其特征在于：所述N₂供應裝置為內置式N₂供應裝置或者外置式N₂供應裝置。

3.根據權利要求1所述的一種制備氮化物單晶體材料的工業化裝置，其特征在于：所述坩堝（9）內設置有晶種模版（4），所述晶種模版（4）水平設置或者垂直設置。

4.根據權利要求3所述的一種制備氮化物單晶體材料的工業化裝置，其特征在于：所述晶種模版（4）的數量為多個，所述晶種模版（4）的位置呈高低分布。

5.根據權利要求1所述的一種制備氮化物單晶體材料的工業化裝置，其特征在于：所述高位供N₂終端口（81）和低位供N₂終端口（82）設置于所述坩堝（9）的底部或側壁。

6.根據權利要求1所述的一種制備氮化物單晶體材料的工業化裝置，其特征在于：所述高位加壓裝置（71）、低位加壓裝置（72）、N₂循環通道（52）的材質為具有抗氧化、耐應力和耐高溫的材料。

7.根據權利要求1所述的一種制備氮化物單晶體材料的工業化裝置，其特征在于：所述N₂循環通道閥門（62）、N₂循環通道高位分閥門（63）、N₂循環通道低位分閥門（64）、高位供N₂終端口（81）與低位供N₂終端口（82）的材質為具有抗氧化、耐高溫和抗硫化的材料。