[發(fā)明專利]一種鈧和鈰混合摻雜氧化鋯粉體及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410363237.6 | 申請日: | 2014-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN104387059A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 韓敏芳;杜曉佳;丁佐龍;黃彭年 | 申請(專利權)人: | 蘇州華清京昆新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/48 | 分類號: | C04B35/48;C04B35/626 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215314 江蘇省蘇州市昆山市周市鎮(zhèn)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 混合 摻雜 氧化鋯 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及固體氧化物燃料電池領域,特別涉及一種用于固體氧化物燃料電池電解質(zhì)的鈧和鈰混合摻雜氧化鋯粉體及其制備方法。
背景技術
未經(jīng)摻雜的ZrO2不具導電性,隨溫度的上升由單斜相向四方相及立方相轉(zhuǎn)變并伴隨有體積變化。然而用二價或三價氧化物摻雜ZrO2,可以在室溫下獲得穩(wěn)定的立方相或四方相,同時當用低價態(tài)的離子Sc3+或Y3+置換ZrO2中的Zr4+時,產(chǎn)生過剩負電荷,為保持電中性,晶體中形成相應的帶正電荷的氧空位,正是這樣形成的氧空位導致了氧化鋯相當?shù)碾x子導電能力,從而廣泛應用為SOFC電解質(zhì)材料。
在摻雜氧化鋯基電解質(zhì)中,Sc2O3摻雜ZrO2(ScSZ)具有最高的電導率,例如在800℃時,11ScSZ的電導率為0.12S/cm,遠遠高于8YSZ的電導率0.03S/cm,但是由于11ScSZ在高溫處理后經(jīng)常會出現(xiàn)低電導率的β相,因此CeO2、Gd2O3、CaO、Y2O3、Al2O3等通常作為相穩(wěn)定劑,與Sc2O3共摻雜ZrO2,有助于抑制ScSZ中高電導率的立方結構c相向低電導率的菱形β相轉(zhuǎn)變,其中,10mol%Sc2O3和1mol%CeO2摻雜的ZrO2(10Sc1CeSZ)在退火處理后表現(xiàn)出最高的離子導電性和很好的穩(wěn)定性。
近年來,鈧和鈰混合摻雜氧化鋯粉體(以下簡稱10Sc1CeSZ)電解質(zhì)由于具有較高的電導率,且經(jīng)高溫燒結后其立方結構c相能夠穩(wěn)定到室溫的優(yōu)異特性,因此被廣泛用作中溫固體氧化物燃料電池(SOFC)的電解質(zhì)材料。但是,由于鈧、鋯離子半徑太接近而導致10Sc1CeSZ電解質(zhì)燒結活性較差,因此需選用一種合適的粉體制備方法。目前,國內(nèi)10Sc1CeSZ粉體的制備僅處于實驗室少量的合成,所制備的粉體雖然也具有立方螢石結構以及良好的燒結活性,但是所采用的方法,要么工藝復雜、不易控制、比較費時,對設備及原料要求較高,制備成本也相應的提高,要么就是對環(huán)境造成嚴重的污染,均不適宜用于規(guī)?;墓I(yè)生產(chǎn)。電解質(zhì)作為SOFC的最為關鍵的材料,適于規(guī)模化的生產(chǎn)10Sc1CeSZ粉體的制備工藝技術的開發(fā),必定會強力推動SOFC的技術開發(fā)及其商業(yè)化。
目前關于10Sc1CeSZ粉體的制備方法有很多,常見的方法為共沉淀法,但是共沉淀的前驅(qū)體在干燥和煅燒階段容易產(chǎn)生硬團聚,因此又發(fā)展了超臨界干燥法、共沸蒸餾法等,但是需要較復雜昂貴的設備,增加了制備成本,因此很難得到廣泛的應用。而水熱法是直接從沉淀前驅(qū)體的液相中結晶出10Sc1CeSZ納米粉體,可以避免煅燒過程中產(chǎn)生硬團聚,所合成的納米粉體具有較大的比表面積,可以有效的降低燒結溫度,這是因為顆粒尺寸減小,燒結時物質(zhì)擴散的路徑短,質(zhì)量傳遞速度變快,從而導致燒結溫度降低;同時材料的顆粒尺寸減小到納米級,納米顆粒具有較大的比表面能,導致燒結的驅(qū)動力增加,降低了燒結溫度;此外,納米材料顆粒晶界上往往有許多位錯、層錯、晶格扭曲等缺陷,缺陷的存在也能促進瓷體在燒結過程中的致密化。但是,目前流延工藝被廣泛應用于SOFC電解質(zhì)薄膜的批量制備,而由此工藝制備的納米粉體具有較大的比表面積,不適宜用于流延工藝,因此需要對該工藝進行合理的優(yōu)化,以獲得具有合適比表面積且有較好燒結活性的10Sc1CeSZ粉體。
為了探索10Sc1CeSZ粉體的批量生產(chǎn)工藝,選用了有希望實現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)、且粉體性能良好的水熱法合成10Sc1CeSZ粉體,對粉體的物相結構、微觀形貌、粒度分布、燒結性能、電性能等進行了研究,通過優(yōu)化水熱合成10Sc1CeSZ納米粉體的工藝條件,將粉體在不同溫度煅燒,制備不同粒徑的10Sc1CeSZ粉體,考察經(jīng)不同溫度煅燒后的粉體性能。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術問題,本發(fā)明提供了一種鈧和鈰混合摻雜氧化鋯粉體及其制備方法,即通過優(yōu)化水熱法合成10Sc1CeSZ粉體的工藝,以獲得適合流延工藝并具有較好燒結活性的具有適合比表面積的10Sc1CeSZ粉體,并實現(xiàn)10Sc1CeSZ粉體的工業(yè)化生產(chǎn)以滿足市場對于SOFC中對10Sc1CeSZ粉體制備的高效電解質(zhì)材料的需求。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州華清京昆新能源科技有限公司,未經(jīng)蘇州華清京昆新能源科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410363237.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





