[發明專利]切割用載具及切割方法在審
| 申請號: | 201410363219.8 | 申請日: | 2014-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN105321840A | 公開(公告)日: | 2016-02-10 |
| 發明(設計)人: | 蔣靜雯;莊龍山;陳光欣;袁宗德;陳賢文;王日富 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切割 用載具 方法 | ||
技術領域
本發明有關于一種切割用載具及切割方法,尤指一種具有凹槽結構的切割用載具及應用該切割用載具的切割方法。
背景技術
現有的用于切割晶圓、裝置晶圓(devicewafer)或已封裝裝置晶圓的切割(dicing)技術的主要步驟通過先將例如晶圓、裝置晶圓(devicewafer)或已封裝裝置晶圓的待切割物接置于一切割膠帶(dicingtape)上,接著,以紅外線(IR)攝影機辨識切割路徑(scribeline)的預設位置,并以刀具沿該切割路徑切割該待切割物,此時,該切割膠帶亦受到刀具部分切割而受損,再以紫外光(UV)照射該切割膠帶以去除其粘性,最后,以機器手臂個別從該切割膠帶上取下經切割的該待切割物。
然而,因電子產品目前均趨向于輕、薄、短小,遂發展出例如3D-IC等較為復雜且精密的封裝技術,而前述現有的切割技術所使用的切割膠帶僅為暫時的與無法重復使用的,且前述高階封裝技術常需要能雙面電路導通、能搬運薄化基材的較硬及耐高溫的切割用載具,故現有的切割膠帶的制程僅能單獨進行而無法同時進行封裝制程,進而需與封裝制程分開進行,增加了封裝制程的步驟、復雜度及成本。
因此,如何避免上述現有技術中的種種問題,實為目前業界所急需解決的課題。
發明內容
有鑒于上述現有技術的缺失,本發明提供一種切割用載具及切割方法,能有效節省制程時間與成本。
本發明的切割用載具包括:板體,其一表面用于接置待切割物;以及凹槽結構,其形成于該板體的該表面上。
本發明還提供一種切割方法,包括:于一切割用載具上接置待切割物,該待切割物具有切割路徑,該切割用載具包括:板體,其一表面接置該待切割物;及凹槽結構,其形成于該板體的該表面上,且該凹槽結構的位置對應該待切割物的切割路徑;沿該切割路徑切割該待切割物;以及移除該切割用載具。
由上可知,本發明的切割用載具預先形成有對應待切割物的切割路徑的凹槽結構,所以后續切割時不會損傷該切割用載具,而能重復使用該切割用載具,以節省成本;此外,本發明的切割用載具的材質堅硬且耐高溫,故切割制程可與許多封裝制程并行進行,進而簡化制程步驟與成本;況且,本發明還可形成有凹部,并將導電元件置于內部,以于切割時保護該導電元件免于受到損傷;此外,本發明的板體的另一表面也可做為一般用途的載具。
附圖說明
圖1A至圖1G所示者為本發明的切割方法的剖視圖。
圖2A至圖2F所示者為本發明的切割方法的各種變化例的剖視圖,其中,圖2B’為圖2B的另一實施例。
圖3A至圖3F所示者為本發明的切割方法的另一實施例的剖視圖,其中,圖3D-1、圖3D-2與圖3D-3所示者為圖3D的各種變化例。
符號說明
1切割用載具
10板體
101凹槽結構
102凹部
2待切割物
20、71、74基板
20a、71a第一表面
20b、71b第二表面
201導電柱
21線路層
22、23凸塊底下金屬層
24、72導電元件
30粘著層
4中介板
5、73晶片
6封裝基板
75封裝膠體
76第一晶片
77第二晶片。
具體實施方式
以下藉由特定的具體實施例說明本發明的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的其他優點及功效。
須知,本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等,均僅用于配合說明書所揭示的內容,以供本領域技術人員的了解與閱讀,并非用于限定本發明可實施的限定條件,故不具技術上的實質意義,任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整,在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下,均應仍落在本發明所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時,本說明書中所引用的用語亦僅為便于敘述的明了,而非用于限定本發明可實施的范圍,其相對關系的改變或調整,在無實質變更技術內容下,當也視為本發明可實施的范疇。
圖1A至圖1G所示者,為本發明的切割方法的剖視圖。
如圖1A所示,提供一切割用載具1,該切割用載具1包括板體10與凹槽結構101,且該凹槽結構101形成于該板體10的一表面上,形成該板體10的材質為玻璃、半導體、陶瓷或金屬,舉例來說,該板體10可為晶圓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





