[發明專利]切割用載具及切割方法在審
| 申請號: | 201410363219.8 | 申請日: | 2014-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN105321840A | 公開(公告)日: | 2016-02-10 |
| 發明(設計)人: | 蔣靜雯;莊龍山;陳光欣;袁宗德;陳賢文;王日富 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切割 用載具 方法 | ||
1.一種切割用載具,包括:
板體,其一表面用于接置待切割物;以及
凹槽結構,其形成于該板體的該表面上。
2.如權利要求1所述的切割用載具,其特征為,該待切割物具有切割路徑,且該凹槽結構的位置對應該待切割物的切割路徑。
3.如權利要求1所述的切割用載具,其特征為,該待切割物上還設有多個導電元件,該切割用載具還包括多個凹部,其形成于該板體的該表面上,且該等凹部用于對應容置該等導電元件。
4.如權利要求1所述的切割用載具,其特征為,形成該板體的材質為玻璃、半導體、陶瓷或金屬。
5.如權利要求1所述的切割用載具,其特征為,該板體為晶圓。
6.一種切割方法,包括:
于一切割用載具上接置待切割物,該待切割物具有切割路徑,該切割用載具包括:
板體,其一表面接置該待切割物;及
凹槽結構,其形成于該板體的該表面上,且該凹槽結構的位置對應該待切割物的切割路徑;
沿該切割路徑切割該待切割物;以及
移除該切割用載具。
7.如權利要求6所述的切割方法,其特征為,該待切割物為中介板、晶圓、封裝基板或封裝件。
8.如權利要求6所述的切割方法,其特征為,該待切割物具有連接該板體的該表面的第一表面及與其相對的第二表面,該待切割物還包括設于該第二表面上的多個導電元件或多個晶片。
9.如權利要求8所述的切割方法,其特征為,該待切割物還包括形成于該第二表面上且包覆該導電元件或多個晶片的封裝膠體。
10.如權利要求6所述的切割方法,其特征為,該待切割物包括接置于該板體的該表面上的多個中介板、接置于該中介板上的多個晶片及形成于該板體的該表面上且包覆該等中介板與晶片的封裝膠體。
11.如權利要求6所述的切割方法,其特征為,該待切割物包括形成于該板體的該表面上的封裝膠體、設于該封裝膠體中的多個晶片及一設于該封裝膠體上且電性連接該等晶片的基板。
12.如權利要求11所述的切割方法,其特征為,該基板具有連接該封裝膠體的第一表面及與其相對的第二表面,該待切割物還包括設于該基板的第二表面上的多個導電元件。
13.如權利要求6所述的切割方法,其特征為,該切割用載具還包括形成于該板體的該表面上的多個凹部,該待切割物還包括多個導電元件,且該等凹部對應容置該等導電元件。
14.如權利要求6所述的切割方法,其特征為,該待切割物包括接置于該板體的該表面上的多個第一晶片、接置于該等第一晶片上的多個第二晶片及形成于該板體的該表面上且包覆該等第一晶片與第二晶片的封裝膠體。
15.如權利要求6所述的切割方法,其特征為,于該切割用載具上接置該待切割物的步驟包括:
提供一具有相對的第一表面與第二表面的基板,該基板具有嵌埋且外露于該第一表面的多個導電柱,于該第一表面上形成電性連接該等導電柱的線路層;
于該線路層上接置該切割用載具,且該凹槽結構朝向該線路層;以及
從該基板的第二表面側移除該基板的部分厚度,以外露該等導電柱的一端,該基板與線路層構成該待切割物。
16.如權利要求15所述的切割方法,其特征為,于移除該基板的部分厚度之后,還包括于該基板的第二表面側的導電柱上形成凸塊底下金屬層,并于該凸塊底下金屬層上形成導電元件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





