[發(fā)明專利]膜剝離裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410363002.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104576306B | 公開(公告)日: | 2019-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李炳哲;金東述;樸宰奭;樸鎮(zhèn)翰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 劉釗;周艷玲 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 剝離 裝置 | ||
一種剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置包括腔室、傳送單元和第一剝離輥。傳送單元被設(shè)置在腔室中以傳送基底。第一剝離輥被設(shè)置在腔室中,第一剝離輥的每一個(gè)均包括靜電吸盤,以吸附附著于基底的第一膜。第一剝離輥卷繞所吸附的第一膜,以從基底剝離第一膜。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及膜剝離裝置。更具體地說,本公開涉及能夠容易地剝落附著于基底的膜的膜剝離裝置。
背景技術(shù)
在平板顯示裝置中,有機(jī)發(fā)光顯示裝置自發(fā)光來顯示圖像。有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有諸如低功耗、快響應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn),因而有機(jī)發(fā)光顯示裝置逐漸取代液晶顯示器。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括設(shè)置在每個(gè)像素區(qū)域中的有機(jī)發(fā)光二極管,并且有機(jī)發(fā)光二極管包括陰極、陽極和插入在陰極與陽極之間的有機(jī)發(fā)光層。
同時(shí),在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光層時(shí),廣泛使用沉積法或激光誘導(dǎo)熱成像法。根據(jù)激光誘導(dǎo)熱成像法,其上形成有機(jī)發(fā)光層的供體膜被附著到基底,并且激光束被照射到供體膜,從而使有機(jī)發(fā)光層從供體膜被轉(zhuǎn)印到基底。在有機(jī)發(fā)光層被轉(zhuǎn)印到基底之后,供體膜被從基底剝落。
發(fā)明內(nèi)容
本公開提供一種能夠容易地剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置。
發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置,包括腔室、傳送單元和第一剝離輥。傳送單元被設(shè)置在腔室中以傳送基底。第一剝離輥被設(shè)置在腔室中,第一剝離輥的每一個(gè)均包括靜電吸盤,以吸附附著于基底的第一膜。第一剝離輥卷繞所吸附的第一膜,以從基底剝離第一膜。
發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置,包括腔室、傳送單元和第一剝離輥。傳送單元被設(shè)置在腔室中以傳送基底。第一剝離輥被設(shè)置在腔室中,卷繞附著于基底的第一膜,以從基底剝離第一膜。第一剝離輥包括氣體噴射部件,以向第一膜噴射氣體。
發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置,包括腔室、傳送單元和第一剝離輥。傳送單元被設(shè)置在腔室中以傳送基底。第一剝離輥被設(shè)置在腔室中,并卷繞附著于基底的第一膜,以從基底剝離第一膜。第一剝離輥包括溫度控制件。
根據(jù)以上,用于剝離附著于基底的供體膜的輥包括靜電吸盤,因而供體膜與輥之間的吸附力由靜電吸盤所產(chǎn)生的靜電力充分地保證。因此,供體膜不被加壓到基底,并且即使輥在卷繞供體膜時(shí)與基底隔開,輥的旋轉(zhuǎn)力也容易被施加到供體膜,從而易于進(jìn)行膜剝離工藝。另外,可以防止有機(jī)發(fā)光層的轉(zhuǎn)印質(zhì)量由于由輥部分地施加到供體膜和基底的壓力而降低。
附圖說明
當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí),參照以下詳細(xì)描述本公開的以上和其它優(yōu)點(diǎn)將變得更顯而易見,附圖中:
圖1A是示出根據(jù)本公開的一示例性實(shí)施例的膜剝離裝置的視圖;
圖1B是示出圖1A中所示的第一輥的剖視圖;
圖2是示出圖1A中所示的膜剝離裝置的操作的視圖;
圖3是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的膜剝離裝置的視圖;
圖4A是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的膜剝離裝置的視圖;
圖4B是示出圖4A中所示的第一輥的剖視圖;
圖5是示出圖4A中所示的膜剝離裝置的操作的視圖;
圖6A是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的膜剝離裝置的視圖;
圖6B是示出圖6A中所示的第一輥的剖視圖;
圖7是示出圖6A中所示的第一輥的操作的視圖;并且
圖8是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的膜剝離裝置的視圖。
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





