[發(fā)明專利]膜剝離裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410363002.7 | 申請日: | 2014-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN104576306B | 公開(公告)日: | 2019-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李炳哲;金東述;樸宰奭;樸鎮(zhèn)翰 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 劉釗;周艷玲 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 剝離 裝置 | ||
1.一種剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置,包括:
腔室;
傳送單元,設(shè)置在所述腔室中以傳送所述基底;和
第一剝離輥,設(shè)置在所述腔室中,所述第一剝離輥的每一個均包括靜電吸盤以吸附附著于所述基底的第一膜,并且所述第一剝離輥卷繞所吸附的所述第一膜以從所述基底剝離所述第一膜,
其中所述靜電吸盤包括每一個具有第一極性的多個第一磁體以及每一個具有不同于所述第一極性的第二極性的多個第二磁體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜剝離裝置,其中所述第一剝離輥包括:
吸附并卷繞所述第一膜的上表面的第一輥;和
面對所述第一輥的第二輥,使得所述第一膜被設(shè)置在所述第一輥與所述第二輥之間,并且所述第二輥卷繞所述第一膜的下表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜剝離裝置,其中所述第一剝離輥在卷繞所述第一膜時與所述基底隔開。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜剝離裝置,其中所述第一輥在卷繞所述第一膜時接觸所述基底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜剝離裝置,進(jìn)一步包括設(shè)置在所述腔室中以面對所述第一剝離輥的第二剝離輥,使得所述基底被設(shè)置在所述第一剝離輥與所述第二剝離輥之間,其中所述第二剝離輥卷繞與所述第一膜協(xié)作而將所述基底密封的第二膜,以從所述基底剝離所述第二膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜剝離裝置,進(jìn)一步包括:
夾持單元,設(shè)置在所述腔室中,以分別夾持從所述基底剝離的所述第一膜和所述第二膜;和
驅(qū)動單元,結(jié)合到所述夾持單元,以在所述腔室中移動所述夾持單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜剝離裝置,其中所述第一剝離輥進(jìn)一步包括氣體噴射部件以向所述第一膜噴射氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的膜剝離裝置,其中所述第一剝離輥包括:
卷繞所述第一膜的上表面的第一輥;和
面對所述第一輥的第二輥,使得所述第一膜被設(shè)置在所述第一輥與所述第二輥之間,并且所述第二輥卷繞所述第一膜的下表面,
其中所述氣體噴射部件被設(shè)置在所述第一輥中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的膜剝離裝置,其中所述第一剝離輥在卷繞所述第一膜時與所述基底隔開,并且所述第一剝離輥向所述第一膜噴射所述氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的膜剝離裝置,進(jìn)一步包括連接到所述氣體噴射部件以向所述氣體噴射部件提供所述氣體的氣體供給單元,其中所述氣體噴射部件由貫穿所述第一輥形成并延伸到所述第一輥的表面的多個氣體排出部分限定。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的膜剝離裝置,進(jìn)一步包括設(shè)置在所述腔室中以面對所述第一剝離輥的第二剝離輥,使得所述基底被設(shè)置在所述第一剝離輥與所述第二剝離輥之間,其中所述第二剝離輥卷繞與所述第一膜協(xié)作而將所述基底密封的第二膜,以從所述基底剝離所述第二膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的膜剝離裝置,進(jìn)一步包括:
夾持單元,設(shè)置在所述腔室中,以分別夾持從所述基底剝離的所述第一膜和所述第二膜;和
驅(qū)動單元,結(jié)合到所述夾持單元,以在所述腔室中移動所述夾持單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜剝離裝置,其中所述第一剝離輥進(jìn)一步包括溫度控制件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的膜剝離裝置,其中所述第一剝離輥包括:
卷繞所述第一膜的上表面的第一輥;和
面對所述第一輥的第二輥,使得所述第一膜被設(shè)置在所述第一輥與所述第二輥之間,所述第二輥卷繞所述第一膜的下表面,
其中所述溫度控制件被設(shè)置在所述第一輥中。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





