[發(fā)明專利]具有嵌入式無源部件的芯片封裝件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410361357.2
• 申請(qǐng)日: 2014-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN104377172B
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: K·霍塞尼;J·馬勒;G·邁耶-伯格
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L25/16;H01L23/64;H01L21/50
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 王茂華

1.一種芯片封裝件，包括：

導(dǎo)電芯片載體；

至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片，被附著到所述導(dǎo)電芯片載體；

無源部件；以及

絕緣層合結(jié)構(gòu)，嵌入有所述導(dǎo)電芯片載體、所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片和所述無源部件，

其中所述無源部件被布置在與所述第一半導(dǎo)體芯片不同的層，使得所述無源部件不穿過與所述第一半導(dǎo)體芯片的主表面平行并且與所述第一半導(dǎo)體芯片相交的任何平面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝件，其中所述無源部件包括選自由以下項(xiàng)構(gòu)成的組的至少一個(gè)無源器件：電阻器、電容器和電感器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝件，其中所述無源部件包括被配置作為集成無源器件的至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝件，其中所述無源部件包括層合的殼體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝件，其中所述絕緣層合結(jié)構(gòu)包括第一電絕緣層和第二電絕緣層，并且其中所述無源部件被安裝在所述第一電絕緣層上并被嵌入所述第二電絕緣層中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝件，其中所述無源部件穿過由所述導(dǎo)電芯片載體所定義的平面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝件，其中所述無源部件的接觸焊盤被耦合到所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片的接觸焊盤。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝件，其中所述無源部件的接觸焊盤被配置作為所述芯片封裝件的外部接觸焊盤。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝件，其中所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片包括功率芯片或邏輯芯片。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝件，進(jìn)一步包括第二半導(dǎo)體芯片，其中所述第二半導(dǎo)體芯片和所述無源部件被安裝在彼此上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝件，其中所述第二半導(dǎo)體芯片包括有源表面和無源表面，并且其中所述第二半導(dǎo)體芯片的所述無源表面被安裝到所述無源部件。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝件，其中所述第二半導(dǎo)體芯片的至少一個(gè)電接觸焊盤被鍵合到所述無源部件的接觸焊盤。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝件，其中所述第二半導(dǎo)體芯片包括電接觸元件和通孔，所述電接觸元件布置在所述第二半導(dǎo)體芯片的無源表面上，所述通孔穿過所述第二半導(dǎo)體芯片并電連接到所述無源表面上的所述電接觸元件。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝件，其中所述第二半導(dǎo)體芯片是邏輯芯片。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝件，其中所述無源部件穿過由所述導(dǎo)電芯片載體所定義的平面。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝件，其中所述第二半導(dǎo)體芯片穿過由所述導(dǎo)電芯片載體所定義的平面。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝件，其中所述無源部件被安裝在所述導(dǎo)電芯片載體上，并且所述第二半導(dǎo)體芯片被安裝在所述無源部件上。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片封裝件，其中所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片是功率芯片。

19.一種芯片封裝件，包括：

無源部件；

金屬層，至少部分地覆蓋所述無源部件的至少一個(gè)主表面；

至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片，被附著到所述金屬層；以及

絕緣層合結(jié)構(gòu)，嵌入有所述無源部件和所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片，所述無源部件被布置在與所述第一半導(dǎo)體芯片不同的層，使得所述無源部件不穿過與所述第一半導(dǎo)體芯片的主表面平行并且與所述第一半導(dǎo)體芯片相交的任何平面。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的芯片封裝件，其中所述金屬層是結(jié)構(gòu)化金屬層，所述結(jié)構(gòu)化金屬層包括電氣再分配結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電路徑。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的芯片封裝件，其中所述金屬層至少部分地覆蓋相對(duì)的主表面和所述無源部件的至少一個(gè)側(cè)表面。