[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410360240.2
• 申請日: 2014-07-25
• 公開（公告）號: CN104347381A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔀拓一郎;川瀨祐介;山下潤一;吉野學(xué)
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/30
• 分類號: H01L21/30;H01L21/762
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置的制造方法主要用于相對于SOI晶片進行膜厚較厚的熱氧化膜的去除、形成，例如用于形成阱的氧化膜掩模的去除，或者LOCOS氧化膜的形成等。

背景技術(shù)

在專利文獻1中公開了在形成填埋有多晶硅的溝槽分離型半導(dǎo)體襯底時，抑制襯底翹曲的技術(shù)。該現(xiàn)有技術(shù)是利用在填埋溝槽的同時所形成的襯底背面的多晶硅膜，對襯底背面的硅氧化膜進行保護的技術(shù)。

專利文獻1：日本特開平10－173041號公報

在襯底翹曲量大的情況下，可能發(fā)生照片制版的曝光不良、向工作臺的吸附不良、以及在生產(chǎn)線內(nèi)的輸送不良等。例如，如果僅在襯底的正面?zhèn)刃纬蒐OCOS氧化膜等較厚的氧化膜，則存在襯底容易翹曲的問題。另外，例如由于用于形成阱等的較厚的氧化膜掩模，存在襯底容易翹曲的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于提供一種能夠抑制襯底翹曲的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有：在襯底的正面形成正面氮化膜，在該襯底的背面形成背面氮化膜的工序；在該正面氮化膜上形成保護膜的工序；利用該保護膜保護該正面氮化膜，與此同時，利用濕蝕刻去除該背面氮化膜的工序；在去除該背面氮化膜之后，去除該保護膜的工序；對該正面氮化膜進行圖案化而在該正面氮化膜上形成開口的工序；以及在從該開口露出的該襯底的正面形成第1氧化膜，與此同時，在該襯底的背面形成第2氧化膜的工序。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制襯底的翹曲。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。

圖2是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。

標號的說明

10支撐襯底，12A填埋氧化膜，12B背面氧化膜，14SOI層，15襯底，16氮化膜，16A、16C正面氮化膜，16B背面氮化膜，18保護膜，20開口，22第1氧化膜，24第2氧化膜，50正面氧化膜，52多晶硅，52A正面多晶硅，52B背面多晶硅

具體實施方式

參照附圖對本發(fā)明的實施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。有時對相同或相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)要素標注相同標號而省略重復(fù)的說明。

實施方式1

圖1是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。本發(fā)明的實施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法是關(guān)于例如在LOCOS(Local?Oxidation?of?Silicon)氧化膜形成工序中利用熱氧化形成氧化膜的方法。首先，在襯底上形成氮化膜。圖1A是表示在襯底上形成氮化膜后的剖面圖。在這里，本發(fā)明的實施方式中的襯底是與SOI(Silicon?On?Insulator)晶片相同的含義。該襯底具有由硅(Si)單結(jié)晶晶片構(gòu)成的支撐襯底10。在支撐襯底10的正面形成有填埋氧化膜12A。在支撐襯底10的背面形成有背面氧化膜12B。填埋氧化膜12A的膜厚與背面氧化膜12B的膜厚例如大于或等于2μm。

在填埋氧化膜12A的正面形成有SOI層14。SOI層14是在填埋氧化膜12A上形成的Si層。SOI層14是形成半導(dǎo)體元件的部分。將支撐襯底10、填埋氧化膜12A、背面氧化膜12B以及SOI層14統(tǒng)稱為襯底15。襯底15是例如直徑為大于或等于8英寸的晶片。具有這種SOI層14的襯底15主要用在高耐壓的功率器件或者MEMS(Micro-Electro-Mechanical?System)的制造中。

相對于該襯底15而形成氮化膜16。氮化膜16具有在襯底15的正面形成的正面氮化膜16A、和在襯底15的背面形成的背面氮化膜16B。此外，氮化膜16是例如利用分批處理方式的CVD方法而形成的。

然后，形成保護膜。圖1B是表示在正面氮化膜16A上形成保護膜18后的剖面圖。保護膜18由于僅在襯底15的正面?zhèn)刃纬桑虼藘?yōu)選使用等離子CVD方法等形成。保護膜18例如為氧化膜。然后，去除背面氮化膜16B。

圖1C是表示去除背面氮化膜16B后的剖面圖。在該工序中，利用保護膜18保護正面氮化膜16A，并利用濕蝕刻去除背面氮化膜16B。然后，去除保護膜。圖1D是表示去除保護膜后的剖面圖。

然后，對正面氮化膜16A進行圖案化。圖1E是表示進行圖案化后的正面氮化膜16C的剖面圖。在進行正面氮化膜的圖案化時利用公知的照片制版技術(shù)和蝕刻技術(shù)。正面氮化膜16C具有開口20。