[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410360240.2
• 申請(qǐng)日: 2014-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN104347381A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔀拓一郎;川瀨祐介;山下潤一;吉野學(xué)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/30
• 分類號(hào): H01L21/30;H01L21/762
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有：

在襯底的正面形成正面氮化膜，在所述襯底的背面形成背面氮化膜的工序；

在所述正面氮化膜上形成保護(hù)膜的工序；

利用所述保護(hù)膜保護(hù)所述正面氮化膜，與此同時(shí)，利用濕蝕刻去除所述背面氮化膜的工序；

在去除所述背面氮化膜之后，去除所述保護(hù)膜的工序；

對(duì)所述正面氮化膜進(jìn)行圖案化而在所述正面氮化膜上形成開口的工序；以及

在從所述開口露出的所述襯底的正面形成第1氧化膜，與此同時(shí)，在所述襯底的背面形成第2氧化膜的工序。

2.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有：

在襯底的正面形成正面氮化膜的工序；

對(duì)所述正面氮化膜進(jìn)行圖案化而在所述正面氮化膜上形成開口的工序；以及

在從所述開口露出的所述襯底的正面形成第1氧化膜，與此同時(shí)，在所述襯底的背面形成第2氧化膜的工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第1氧化膜是膜厚大于或等于1000nm的LOCOS氧化膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述襯底具有支撐襯底、在所述支撐襯底的正面形成的填埋氧化膜、在所述支撐襯底的背面形成的背面氧化膜、以及在所述填埋氧化膜的正面形成的SOI層，

所述填埋氧化膜的膜厚與所述背面氧化膜的膜厚為大于或等于2μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述襯底為Si襯底。

6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有：

在正面形成有正面氧化膜的襯底的背面形成背面多晶硅的工序；以及

在所述襯底的正面?zhèn)嚷冻鏊稣嫜趸ぁ⒃谒鲆r底的背面?zhèn)嚷冻鏊霰趁娑嗑Ч璧臓顟B(tài)下，利用濕蝕刻去除所述正面氧化膜并留下所述背面多晶硅的工序，

所述襯底在正面?zhèn)染哂刑盥裱趸ぃ诒趁鎮(zhèn)染哂斜趁嫜趸ぁ?/p>

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述正面氧化膜是在阱形成工序中作為掩模所使用的膜厚大于或等于200nm的氧化膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、6、7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述襯底是直徑大于或等于8英寸的晶片。