[發明專利]用于半導體設備的進氣裝置及應用其的反應腔室在審
| 申請號: | 201410359381.2 | 申請日: | 2014-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN105448770A | 公開(公告)日: | 2016-03-30 |
| 發明(設計)人: | 陳永遠;符雅麗;羅巍 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 半導體設備 裝置 應用 反應 | ||
1.一種用于半導體設備的進氣裝置,其特征在于,包括:
外筒,其具有進氣口;
內筒,其位于所述外筒內,且二者同軸設置,所述內筒的外周壁與所述外筒的內周壁之間形成環形通道;并且,在所述內筒的下端設置有第一圓錐環,在所述第一圓錐環的外周壁與所述外筒的下端之間形成環形的邊緣出氣口;
旋轉軸,其位于所述內筒內,且二者同軸設置,在所述旋轉軸的下端設置有圓錐體,所述圓錐體嵌套在所述第一圓錐環內;并且分別在所述第一圓錐環和圓錐體的外周壁上設置有多個通氣孔,所述多個通氣孔形成中心出氣口;
通過使所述旋轉軸相對于所述內筒圍繞其軸線旋轉,而調節所述中心出氣口的通氣截面積;通過使所述內筒和旋轉軸相對于所述外筒沿其軸向同步移動,而調節所述邊緣出氣口的通氣截面積。
2.根據權利要求1所述的用于半導體設備的進氣裝置,其特征在于,在所述外筒的下端設置有第二圓錐環,所述第二圓錐環的內周壁與所述第一圓錐環的外周壁之間形成圓錐環形的邊緣出氣口。
3.根據權利要求2所述的用于半導體設備的進氣裝置,其特征在于,所述第一圓錐環、第二圓錐環和圓錐體各自的母線相對于所述旋轉軸的軸線的傾斜角度相同。
4.根據權利要求1所述的用于半導體設備的進氣裝置,其特征在于,所述第一圓錐環和圓錐體各自的母線相對于所述旋轉軸的軸線的傾斜角度相同。
5.根據權利要求3或4所述的用于半導體設備的進氣裝置,其特征在于,所述傾斜角度大于等于20°,且小于90°。
6.根據權利要求1所述的用于半導體設備的進氣裝置,其特征在于,在所述第一圓錐環和圓錐體上,所有的通氣孔沿所述旋轉軸的軸向間隔排布有至少一層,每層包含多個通氣孔,且沿所述旋轉軸的周向間隔排布;
所述第一圓錐環上的通氣孔的數量和位置與所述圓錐體上的通氣孔的數量和位置一一對應。
7.根據權利要求6所述的用于半導體設備的進氣裝置,其特征在于,在所述圓錐體上,每個通氣孔的上端開口小于其下端開口。
8.根據權利要求6或7所述的用于半導體設備的進氣裝置,其特征在于,所述第一圓錐環上的通氣孔為直通孔,且其直徑不大于所述圓錐體上的通氣孔的上端開口直徑。
9.根據權利要求8所述的用于半導體設備的進氣裝置,其特征在于,所述直通孔的直徑的取值范圍在0.5~3mm。
10.根據權利要求8所述的用于半導體設備的進氣裝置,其特征在于,所述圓錐體上的通氣孔的下端開口直徑的取值范圍在0.6~5mm。
11.根據權利要求1所述的用于半導體設備的進氣裝置,其特征在于,在所述外筒的上端設置有中心孔,所述內筒的上端沿其軸向自下而上穿過所述中心孔,并延伸至所述外筒之外;并且在所述中心孔內設置有密封件,用以在所述中心孔與所述內筒之間形成往復式動密封。
12.一種反應腔室,在其頂部的中心位置處設置有進氣裝置,用以向所述反應腔室的內部輸送工藝氣體,其特征在于,所述進氣裝置采用權利要求1-11任意一項所述的用于半導體設備的進氣裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





