[發(fā)明專利]一種真空離子鍍鈦爐的靶材接頭

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410357765.0
• 申請日: 2014-07-25
• 公開（公告）號: CN104087901A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓永全
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江博海金屬制品科技有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/06
• 代理公司: 湖州金衛(wèi)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33232
• 代理人: 裴金華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及鍍膜設(shè)備，特別是用于真空鍍鈦工藝的靶材接頭。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的離子鍍膜技術(shù)是利用在真空條件下吧性能優(yōu)異的太空金屬鈦?zhàn)龀砂畜w接頭，用電弧方式直接產(chǎn)生等離子體，并在真空爐中通入高純氮?dú)猓氢侂x子和氮離子在電廠作用下直接“打入”由各種基材制成的產(chǎn)品上，并形成一層厚度約1微米結(jié)合力很強(qiáng)的氮化鈦層，不僅外觀金光閃閃而且耐磨耐蝕性能優(yōu)異，從而大大的提高產(chǎn)品的使用價值與經(jīng)濟(jì)價值。

在真空離子鍍鈦工藝中需要用到很多鈦合金制作的靶材。鈦合金是稀有金屬，所以其靶材的價格非常貴。靶材是在真空離子鍍鈦不斷消耗的。靶材是靠螺紋接頭與鍍鈦爐連接的。當(dāng)靶材消耗到連接部的時候，就要更換，這樣既麻煩又浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容

????本發(fā)明的目的，是解決上述技術(shù)問題，提供一種提高靶材接頭的利用率，降低成本的一種靶材接頭。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是：一種真空離子鍍鈦爐的靶材接頭，包括靶體，所述靶體上一體連接基座，所述基座內(nèi)開設(shè)一凹孔，凹孔側(cè)壁上設(shè)置內(nèi)螺紋；所述基座上開設(shè)凹陷部。

由于靶體使用到基座位置基本也就需要更換了，但在實(shí)際制作的時候，靶體和基座都是一體成型的，并且都用鈦材料來制作，所以剩下的基座部分就比較浪費(fèi)，所以設(shè)置凹陷部，一來可以減少基座的體積，降低成本，二就是回收，由于一些鈦離子冷卻后會附著在靶體上，如果沒有這些凹陷部，就會因附著力不夠而脫離靶體，滴落到爐底上，造成一定的浪費(fèi)和污染。

作為優(yōu)選，所述凹陷部在基座與靶體的連接處設(shè)置并且致使基座的表面傾斜。基座的表面傾斜一是最大化的縮減基座的體積，二是可以讓冷凝在基座上的液體可以順利回流到凹陷部內(nèi)，可以再次使用。

作為進(jìn)一步優(yōu)選，所述凹陷部的橫截面為三角形。三角形的結(jié)構(gòu)設(shè)計可以讓基座的表面傾斜，又最大的減小基座的體積而不減少基座的連接強(qiáng)度。

作為優(yōu)選，所述凹陷部在基座與靶體的連接處設(shè)置并且致使基座的外表面呈圓弧形。由于靶材接頭與真空爐是螺紋連接，所以基座的連接部也是圓柱形，其外表面如果也是圓弧形就可以既保持連接強(qiáng)度也可以降低基座體積。

作為進(jìn)一步優(yōu)選，所述凹陷部的橫截面為矩形。

作為優(yōu)選，所述凹陷部以基座的中心軸為中心線，圓周陣列分布。

作為優(yōu)選，所述靶體為圓臺形。?

本發(fā)明有益效果是：

本靶材接頭通過凹陷部的設(shè)計，提高了利用率，減少基座的體積，避免了金屬的浪費(fèi)，增加了靶體的使用時間，并可以回收一部分的冷凝后的金屬。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例主視圖結(jié)構(gòu)；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例凹陷部的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-靶體，2-基座，21-凹陷部，3-凹孔，31-內(nèi)螺紋。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖以實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

本具體實(shí)施例僅僅是對本發(fā)明的解釋，其并不是對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀完本說明書后可以根據(jù)需要對本實(shí)施例做出沒有創(chuàng)造性貢獻(xiàn)的修改，但只要在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)都受到專利法的保護(hù)。

實(shí)施例1，如圖1-2所示，一種真空離子鍍鈦爐的靶材接頭，包括靶體1，所述靶體1上一體連接基座2，所述基座2內(nèi)開設(shè)一凹孔3，凹孔3側(cè)壁上設(shè)置內(nèi)螺紋31；所述基座2上開設(shè)凹陷部21。靶體1設(shè)置成圓臺形，且靶體1外徑的縮小方向是越靠近基座2，其外徑越小。這樣可以增加靶體的體積，提高靶體的工作時間，減少更換次數(shù)，提高工作效率。

所述凹陷部21在基座2與靶體1的連接處設(shè)置并且致使基座2的表面傾斜。如圖2所示，凹陷部21的橫截面為三角形，并且靶體1的連接面還是平行設(shè)置，這樣就不會減少靶體1的體積。

如圖3所示，所述凹陷部21在基座2與靶體1的連接處設(shè)置并且致使基座2的外表面呈圓弧形。所述凹陷部21的橫截面為矩形。

所述凹陷部21以基座2的中心軸為中心線，圓周陣列分布。這樣既保留了原基座2的連接強(qiáng)度，又可以減少基座2的體積，并且凹陷部21可以收集冷凝后金屬，一是方便回收利用，二是防止滴落到真空爐內(nèi)，造成污染和浪費(fèi)。