[發明專利]負偏壓溫度不穩定性評估方法

有效

• 申請號: 201410357130.0
• 申請日: 2014-07-25
• 公開（公告）號: CN104091770B
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 羅飛
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種負偏壓溫度不穩定性評估方法，其特征在于，對于CMOS器件，包括：

對CMOS器件中不同層間介質層薄膜下的均勻性進行實時電性測量得到實時電性參數，所述層間介質層位于CMOS器件各端口與金屬連接層之間；

根據測量得到的實時電性參數與基準工藝條件的電性參數對CMOS器件的負偏壓溫度不穩定性進行評估，其中，在層間介質層的總厚度不變的前提下，對不同層間介質層薄膜下的均勻性進行電性測量得到電性參數進行統計分析得出相對于基準工藝條件的變化趨勢。

2.根據權利要求1所述的方法，所述層間介質層包括：氮化硅層、第一氧化硅層、第二氧化硅層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化硅層為化學氣相沉積氮化硅層，所述第一氧化硅層為亞氣壓化學氣相沉積氧化硅層，所述第二氧化硅層為等離子體增強化學氣相沉積氧化硅層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述化學氣相沉積氮化硅層覆蓋在CMOS器件端口各端口表面，亞氣壓化學氣相沉積氧化硅層填充在柵極之間的空間以防止空洞的出現，等離子體增強化學氣相沉積氧化硅層用于形成通孔，以連接CMOS器件的各端口與金屬互連層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據測量得到的實時電性參數與基準工藝條件的電性參數數據對CMOS器件的負偏壓溫度不穩定性進行評估包括：根據電性參數的變化趨勢、所述實時電性參數對CMOS器件的負偏壓溫度不穩定性進行評估。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，如果根據測量得到的實時電性參數大于基準工藝條件的電性參數，則判定對CMOS器件的負偏壓溫度不穩定性評估結果是負面的，否則，判定對CMOS器件的負偏壓溫度不穩定性評估結果是正面的。

7.根據權利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，所述電性參數包括：開啟電壓、飽和電流、電阻、電容。

8.一種新工藝的開發方法，其特征在于，在形成晶圓完整流片之前包括權利要求1-7任一所述的方法。