[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410355631.5 | 申請日： | 2014-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN104347111B | 公開（公告）日： | 2018-12-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 藪內(nèi)誠;藤原英弘 | 申請（專利權(quán)）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | G11C11/413 | 分類號： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 集成電路 器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體集成電路器件，包括：
存儲器單元，所述存儲器單元包括：保持電路，所述保持電路具有多個MOSFET和一對輸入/輸出節(jié)點并且利用第一電壓作為操作電壓而進行操作；以及一對傳輸MOSFET，所述傳輸MOSFET分別耦合至所述輸入/輸出節(jié)點并且其柵極接收選擇信號；以及
電壓生成電路，所述電壓生成電路用于生成在絕對值方面高于所述第一電壓的第二電壓，
其中響應(yīng)于唯一ID生成指令，所述第二電壓被應(yīng)用于所述傳輸MOSFET的所述柵極，第三電壓經(jīng)由所述傳輸MOSFET被提供至所述輸入/輸出節(jié)點，并且隨后應(yīng)用于所述傳輸MOSFET的所述柵極的所述電壓被降低至在絕對值方面比所述第一電壓更低的電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中所述保持電路是包括所述MOSFET的鎖存電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中所述第三電壓等于所述第一電壓。
4.一種半導(dǎo)體集成電路器件，包括：
多個存儲器單元，所述多個存儲器單元以矩陣式布置，所述存儲器單元中的每個存儲器單元包括：保持電路，所述保持電路具有多個MOSFET和一對輸入/輸出節(jié)點并且利用第一電壓作為操作電壓而進行操作；以及一對傳輸MOSFET，所述傳輸MOSFET分別耦合至所述輸入/輸出節(jié)點并且其柵極接收選擇信號；
多個字線，所述多個字線被布置在所述矩陣的相應(yīng)行中，并且每個字線均耦合至布置于相對應(yīng)行中的多個存儲器單元中的多對傳輸MOSFET的柵極；
多個位線對，所述多個位線對布置在所述矩陣的相應(yīng)列中，并且每個位線對均耦合至布置于相應(yīng)列中的多個存儲器單元中的多對傳輸MOSFET；
行選擇電路，所述行選擇電路用于從所述字線中選擇字線；
列選擇電路，所述列選擇電路用于從所述位線對中選擇位線對；以及
電壓生成電路，所述電壓生成電路用于生成在絕對值方面比所述第一電壓更高的第二電壓，
其中響應(yīng)于唯一ID生成指令，所述第二電壓被應(yīng)用于由所述行選擇電路所選擇的所述字線，第三電壓被應(yīng)用于由所述列選擇電路所選擇的所述位線對，并且隨后應(yīng)用于所選擇字線的所述電壓被降低至在絕對值方面比所述第一電壓更低的電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中所述保持電路是包括所述MOSFET的鎖存電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中所述第三電壓等于所述第一電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中所述電壓生成電路是用于升高所述第一電壓的升壓電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路器件，進一步包括用于提供所述唯一ID生成指令的CPU。
9.一種半導(dǎo)體集成電路器件，包括：
單元陣列，所述單元陣列包括：
多個存儲器單元，所述多個存儲器單元以矩陣式布置，每個存儲器單元包括：保持電路，所述保持電路具有多個MOSFET和一對輸入/輸出節(jié)點并且利用第一電壓和第二電壓之間的電壓差作為操作電壓而進行操作；以及一對傳輸MOSFET，所述傳輸MOSFET分別耦合至所述輸入/輸出節(jié)點并且其柵極接收選擇信號；
多個字線，所述多個字線布置在所述矩陣的相應(yīng)行中并且每個字線均耦合至布置于相對應(yīng)行中的多個存儲器單元中的多對傳輸MOSFET的柵極；以及
多個位線對，所述多個位線對布置在所述矩陣的相應(yīng)列中進并且每個位線對均耦合至布置于相應(yīng)列中的多個存儲器單元中的多對MOSFET；
外圍電路，所述外圍電路用于從所述字線中選擇字線并且從所述位線對中選擇位線對；以及
電壓控制電路，所述電壓控制電路用于生成所述第一電壓，所述第一電壓響應(yīng)于唯一ID生成指令而改變所述第一電壓的數(shù)值從而減小所述電壓差，并且隨后改變所述第一電壓的所述電壓值從而增大所述電壓差。
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