[發明專利]晶片封裝體及其制造方法

有效

• 申請號: 201410355382.X
• 申請日: 2014-07-24
• 公開（公告）號: CN104347536B
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 何彥仕;劉滄宇;張恕銘;黃玉龍;林超彥;孫唯倫;陳鍵輝
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/98
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一晶片，具有一上表面、一下表面及一側壁，其中該晶片于該上表面包括一感測區或元件區、及一信號接墊區；

一淺凹槽結構，位于該信號接墊區外側，并沿著該側壁自該上表面朝該下表面延伸，其中該淺凹槽結構至少具有一第一凹口及一第二凹口，該第二凹口位于該第一凹口下方，且該第一凹口的一第一側壁的長度大于該第二凹口的一第二側壁的長度，且該第一凹口的一第一底部的橫向寬度窄于該第二凹口的一第二底部，且該第二凹口自該第一凹口的該第一底部朝該下表面延伸；

一重布線層，電性連接該信號接墊區且延伸至該淺凹槽結構，且延伸至該第一凹口的該第一側壁及該第一底部，且自該上表面延伸至該第二凹口的該第二側壁及該第二底部；以及

一接線，具有一第一端點及一第二端點，其中該第一端點于該淺凹槽結構內電性連接該重布線層，該第二端點用于外部電性連接，且該第一端點電性連接至位于該第二底部的該重布線層上。

2.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片包括一基底及一絕緣層，其中該第一凹口的該第一側壁鄰接該絕緣層及部分的該基底，該第二凹口的該第二側壁鄰接該基底。

3.根據權利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一封裝層，該封裝層覆蓋該接線及該上表面，并于該感測區或該元件區上方形成一扁平化接觸表面，其中該接線的一最高部分突出于該晶片的該上表面，且該封裝層于該感測區或該元件區上的覆蓋厚度決定于該接線的該最高部分與該第一凹口的該第一底部之間的距離與該第一凹口的深度的差值。

4.根據權利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片為一生物辨識晶片。

5.根據權利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一封裝層，該封裝層覆蓋該接線及該上表面，并于該感測區或該元件區上方形成一扁平化接觸表面，該接線的一最高部分突出于該晶片的該上表面，且該封裝層于該感測區或該元件區上的覆蓋厚度決定于該接線的該最高部分與該第二凹口的該第二底部之間的距離與該淺凹槽結構的深度的差值。

6.根據權利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片為一指紋辨識晶片。

7.根據權利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，該重布線層未延伸至該第二凹口的邊緣。

8.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一保護層，該保護層覆蓋該重布線層，并于該淺凹槽結構內形成一開口，供該接線的該第一端點電性連接該重布線層。

9.根據權利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，該信號接墊區由該保護層覆蓋。

10.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該接線的該第二端點為焊接的起始點。

11.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該重布線層未延伸至該淺凹槽結構的邊緣。

12.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該接線的該第一端點及該第二端點低于該晶片的該上表面，該接線的一最高部分突出于該晶片的該上表面。

13.根據權利要求12所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一封裝層，該封裝層覆蓋該接線及該上表面，并于該感測區或該元件區上方形成一扁平化接觸表面，其中該封裝層于該感測區或該元件區上的覆蓋厚度決定于該接線的該最高部分與該淺凹槽結構的底部之間的距離與該淺凹槽結構的深度的差值。