[發明專利]一種強激光取樣衰減器

有效

• 申請號: 201410354915.2
• 申請日: 2014-07-24
• 公開（公告）號: CN104133302A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 龐淼;張衛;胡曉陽;周文超;高學燕;周山;何均章
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院應用電子學研究所
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;G01J1/04
• 代理公司: 中國工程物理研究院專利中心 51210
• 代理人: 韓志英

技術領域

?本發明屬于激光參數測量技術領域，具體涉及一種強激光取樣衰減器。

背景技術

在強激光測量應用中，通常需要先用取樣衰減器對激光束進行空間取樣和衰減，現有技術的取樣衰減器能承受一定的能量密度，但不能對持續時間數十秒的強激光進行取樣和衰減。

發明內容

為了克服已有技術中激光取樣衰減器不能對持續時間數十秒的強激光進行取樣和衰減的不足，本發明提供了一種強激光取樣衰減器，能夠對功率密度達到10kW/cm²的強激光進行數十秒時間取樣和衰減。

本發明是通過如下技術方案來實現的：??

本發明的一種強激光取樣衰減器，其特點是，所述取樣衰減器外形為柱狀，包括漫反射取樣板、衰減腔板、取樣光散射板、漫透射材料、衰減底板。

所述漫反射取樣板用于對非取樣強激光進行95%以上漫反射；

所述漫反射取樣板上設置有通孔用于對入射激光束進行空間強度分布取樣；

所述衰減腔板上設置有衰減腔用于衰減和勻化取樣強激光，通過改變衰減腔的結構尺寸能夠調整衰減倍率；

所述取樣光散射板用于對取樣強激光進行漫反射；

所述漫透射材料用于對發散勻化后的取樣光再次進行取樣；

所述衰減底板上設置有通孔用于對漫透射取樣激光再次進行衰減，通過調整通孔長度能夠調整衰減倍率；

所述取樣衰減器的上部設置有漫反射取樣板，漫反射取樣板下部依次與衰減腔板、取樣光散射板、衰減底板固定連接；漫反射取樣板軸向設置有圓形的通孔Ⅰ；衰減腔板的上部軸向設置有圓形的通孔Ⅱ，下部軸向設置有衰減腔；所述的取樣光散射板的軸向設置有圓形通孔Ⅲ；所述的衰減底板的軸向設置有圓形通孔Ⅳ；通孔Ⅱ、通孔Ⅲ分別與衰減腔相通，且通孔Ⅱ與通孔Ⅲ為軸向平行設置，（即通孔Ⅱ與通孔Ⅲ在取樣光散射板上的投影不相交）。所述漫透射材料置于取樣光散射板的通孔Ⅲ中，漫透射材料的上表面與取樣光散射板上的通孔Ⅲ中的臺階平齊，漫透射材料的下表面與衰減底板的上表面平齊。

所述的通孔Ⅰ與通孔Ⅱ為同軸心設置。

所述的通孔Ⅲ與通孔Ⅳ為同軸心設置。

所述的衰減腔的形狀為圓形或方形。

所述的漫透射材料的直徑大于通孔Ⅲ、通孔Ⅳ的直徑。

所述的漫反射取樣板材料采用經過特殊工藝處理的紫銅，特殊工藝為受光面先噴砂，后鍍金，其余表面鍍金。

所述的衰減腔板材料為石墨或發黑鋁。

所述的取樣光散射板材料采用經過特殊工藝處理的紫銅或鋁，特殊工藝為受光面先噴砂，后鍍金。

所述的漫透射材料為乳白玻璃或漫透射陶瓷。

所述的衰減底板的材料為發黑鋁。

本發明使用具有高損傷域值的漫反射取樣板來對非取樣強激光進行95%以上漫反射，使用小孔對入射激光束進行空間取樣，使用具有高損傷域值的取樣光散射板來對高功率密度取樣光進行漫反射，并使用石墨或發黑鋁材料的柱形衰減腔來發散和勻化取樣激光，使用漫透射材料和衰減通道對發散勻化后的激光進行再次取樣和衰減，從而實現對強激光的取樣和衰減。

本發明的強激光取樣衰減器解決了持續時間數十秒、功率密度到達10kW/cm²的強激光常規方法無法直接取樣和衰減的問題，對于強激光參數測量具有重要促進作用。?

附圖說明

圖1為本發明的強激光取樣衰減器的結構示意圖；

圖中，1.漫反射取樣板????2.衰減腔板?????3.取樣光散射板?????4.漫透射材料?????5.衰減底板?????6.通孔Ⅰ?????7.通孔Ⅱ?????8.衰減腔?????9.通孔Ⅲ?????10.通孔Ⅳ。

具體實施方式

???以下結合附圖和具體的實施例對本發明進行詳細說明。

實施例1??

圖1為本發明的強激光取樣衰減器的結構示意圖。在圖1中，本發明的強激光取樣衰減器外形為方形,包括漫反射取樣板1、衰減腔板2、取樣光散射板3、漫透射材料4、衰減底板5；

所述漫反射取樣板1用于對非取樣強激光進行95%以上漫反射；

所述漫反射取樣板1上設置有通孔用于對入射激光束進行空間強度分布取樣；

所述衰減腔板2上設置有衰減腔用于衰減和勻化取樣強激光，通過改變衰減腔的結構尺寸能夠調整衰減倍率；

所述取樣光散射板3用于對取樣強激光進行漫反射；

所述漫透射材料4用于對發散勻化后的取樣光再次進行取樣；