[發明專利]一種強激光取樣衰減器

有效

• 申請號: 201410354915.2
• 申請日: 2014-07-24
• 公開（公告）號: CN104133302A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 龐淼;張衛;胡曉陽;周文超;高學燕;周山;何均章
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院應用電子學研究所
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;G01J1/04
• 代理公司: 中國工程物理研究院專利中心 51210
• 代理人: 韓志英

1.一種強激光取樣衰減器，其特征在于：所述取樣衰減器外形為柱狀，包括漫反射取樣板（1）、衰減腔板（2）、取樣光散射板（3）、漫透射材料（4）、衰減底板（5）；

所述漫反射取樣板（1）用于對非取樣強激光進行漫反射；

所述漫反射取樣板（1）上設置有通孔用于對入射激光束進行空間強度分布取樣；

所述衰減腔板（2）上設置有衰減腔用于衰減和勻化取樣強激光；

所述取樣光散射板（3）用于對取樣強激光進行漫反射；

所述漫透射材料（4）用于對發散勻化后的取樣光再次進行取樣；

所述衰減底板（5）上設置有通孔用于對漫透射取樣激光再次進行衰減；

所述取樣衰減器的上部設置有漫反射取樣板（1），漫反射取樣板（1）下部依次與衰減腔板（2）、取樣光散射板（3）、衰減底板（5）固定連接；漫反射取樣板（1）軸向設置有圓形的通孔Ⅰ（6）；衰減腔板（2）的上部軸向設置有圓形的通孔Ⅱ(7)，下部軸向設置有衰減腔（8）；所述的取樣光散射板（3）的軸向設置有圓形通孔Ⅲ（9）；所述的衰減底板（5）的軸向設置有圓形通孔Ⅳ（10）；通孔Ⅱ（7）、通孔Ⅲ（9）分別與衰減腔（8）相通，且通孔Ⅱ（7）與通孔Ⅲ（9）為軸向平行設置；所述漫透射材料（4）置于取樣光散射板（3）的通孔Ⅲ(9)中，漫透射材料（4）的上表面與取樣光散射板（3）上的通孔Ⅲ(9)中的臺階平齊，漫透射材料（4）的下表面與衰減底板（5）的上表面平齊。

2.根據權利要求1所述的強激光取樣衰減器，其特征在于：所述的通孔Ⅰ（6）與通孔Ⅱ（7）為同軸心設置。

3.根據權利要求1所述的強激光取樣衰減器，其特征在于：所述的通孔Ⅲ(9)與通孔Ⅳ（10）為同軸心設置。

4.根據權利要求1所述的強激光取樣衰減器，其特征在于：所述的衰減腔（8）的形狀為圓形或方形。

5.根據權利要求1所述的強激光取樣衰減器，其特征在于：所述的漫反射取樣板（1）材料采用紫銅，在紫銅受光面先噴砂，后鍍金，其余表面鍍金。

6.根據權利要求1所述的強激光取樣衰減器，其特征在于：所述的衰減腔板（2）材料采用石墨或發黑鋁。

7.根據權利要求1所述的強激光取樣衰減器，其特征在于：所述的取樣光散射板（3）材料采用紫銅或鋁，在紫銅或鋁的受光面先噴砂，后鍍金。

8.根據權利要求1所述的強激光取樣衰減器，其特征在于：所述的漫透射材料（4）為乳白玻璃或漫透射陶瓷。

9.根據權利要求1所述的強激光取樣衰減器，其特征在于：所述的衰減底板（5）的材料為發黑鋁。