[發明專利]電荷泵系統及存儲器

有效

• 申請號: 201410353775.7
• 申請日: 2014-07-23
• 公開（公告）號: CN104091615B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 張圣波;胡劍;楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/30
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華,吳敏

1.一種電荷泵系統，適于提供存儲器的操作電壓，包括電荷泵、采樣電路以及電壓比較器，其特征在于，還包括電壓補償電路；

所述電壓補償電路包括：

補償電流提供單元，適于提供補償電流，所述補償電流的電流值根據ic＝ir×(N0-N1)確定，ic為所述補償電流的電流值，ir為基準電流電流值，N0為所述存儲器執行編程操作時被選中的存儲單元的數量，N1為所述被選中的存儲單元中需要被寫入二進制數據0的存儲單元的數量；

第一電流鏡，適于對所述補償電流進行鏡像以輸出鏡像電流至所述采樣電路的輸出端；

所述電壓補償電路還包括開關單元，所述第一電流鏡通過所述開關單元輸出所述鏡像電流至所述采樣電路的輸出端；

所述開關單元的第一端適于接收所述鏡像電流，所述開關單元的第二端連接所述采樣電路的輸出端，所述開關單元的控制端適于接收所述存儲器的編程使能信號；

在所述存儲器執行編程操作時，所述編程使能信號控制所述開關單元的第一端和所述開關單元的第二端導通，否則控制所述開關單元的第一端和所述開關單元的第二端斷開。

2.如權利要求1所述的電荷泵系統，其特征在于，所述補償電流提供單元包括N0個基準電流提供單元，所述基準電流提供單元包括第一NMOS晶體管和基準電流源；

所述第一NMOS晶體管的柵極對應接收一位編程數據，所述編程數據為所述被選中的存儲單元需要被寫入的N0位二進制數據，所述第一NMOS晶體管的漏極連接所述第一電流鏡的輸入端，所述第一NMOS晶體管的源極連接所述基準電流源的第一端；

所述基準電流源的第二端適于輸入參考電位。

3.如權利要求2所述的電荷泵系統，其特征在于，所述基準電流源為第二電流鏡。

4.如權利要求3所述的電荷泵系統，其特征在于，所述第二電流鏡包括第二NMOS晶體管以及第三NMOS晶體管；

所述第二NMOS晶體管的漏極連接所述第二NMOS晶體管的柵極和所述第三NMOS晶體管的柵極并適于輸入帶隙參考電流；

所述第二NMOS晶體管的源極適于輸入所述參考電位；

所述第三NMOS晶體管的漏極作為所述基準電流源的第一端，所述第三NMOS晶體管的源極作為所述基準電流源的第二端。

5.如權利要求4所述的電荷泵系統，其特征在于，所述參考電位為地電位。

6.如權利要求1至5任一項所述的電荷泵系統，其特征在于，所述第一電流鏡包括第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管；

所述第一PMOS晶體管的源極連接所述第一PMOS晶體管的柵極和所述第二PMOS晶體管的柵極并適于輸入所述存儲器的電源電壓，所述第一PMOS晶體管的漏極作為所述第一電流鏡的輸入端；

所述第二PMOS晶體管的源極適于輸入所述存儲器的電源電壓，所述第二PMOS晶體管的漏極適于輸出所述鏡像電流。

7.如權利要求1所述的電荷泵系統，其特征在于，所述開關單元包括第四NMOS晶體管；

所述第四NMOS晶體管的漏極作為所述開關單元的第一端，所述第四NMOS晶體管的源極作為所述開關單元的第二端，所述第四NMOS晶體管的柵極作為所述開關單元的控制端。

8.一種存儲器，包括存儲陣列、譯碼電路以及數據寫入電路，其特征在于，還包括權利要求1至7任一項所述的電荷泵系統，所述電荷泵系統適于輸出偏置電壓至所述譯碼電路。

9.如權利要求8所述的存儲器，其特征在于，所述存儲陣列包括呈陣列排布的存儲單元，所述存儲單元為分裂柵極存儲單元。