[發明專利]半導體封裝、制造半導體封裝的方法和疊層式半導體封裝

無效

• 申請號: 201410353021.1
• 申請日: 2014-07-23
• 公開（公告）號: CN104425398A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 金泰賢;俞度在;樸興雨
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 孫向民;肖冰濱

1.一種半導體封裝，包括：

基底，在該基底上形成第一電路層；

半導體裝置，形成在所述基底上；

模制部，形成在所述基底上并形成以包圍所述第一電路層和所述半導體裝置；

第一通道，形成在所述第一電路層上并形成為穿透所述模制部；以及

第二電路層，形成在所述模制部的上表面上并與所述第一通道一體成型。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一通道的下表面的直徑比所述第一通道的上表面的直徑大。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一通道的下表面的直徑比所述第一通道的上表面的直徑小。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一通道被彎曲一次或多次，從而所述第一通道的上表面的中心和所述第一通道的下表面的中心位于不同的垂直線上。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一通道被彎曲一次或多次，從而所述第一通道的上表面的中心和所述第一通道的下表面的中心位于同一垂直線上。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一通道包括導電金屬和導電樹脂中的至少一者。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝，其中所述第一通道的內部由非導電樹脂制成。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中粘合層被進一步形成在所述第一通道與所述第一電路層之間。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述粘合層包括低熔點金屬和半固化導電環氧樹脂中的至少一者。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述半導體裝置通過線路連接到所述第一電路層。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝，還包括：

第二通道，該第二通道的下表面被連接到所述半導體裝置，以及所述第二通道的上表面被連接到所述第二電路層。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝，其中所述第二電路層將所述第一通道電連接到所述第二通道。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝，其中所述第二通道由與所述第一通道相同的材料制成。

14.根據權利要求1所述的半導體封裝，還包括：

外部連接端，形成在所述第二電路層上。

15.一種制造半導體封裝的方法，包括：

制備基底，在該基底上形成第一電路層和半導體裝置；

制備一框架，該框架具有下表面，該下表面設置有第一通道；

將所述框架安裝在所述基底上；

通過將模制材料注入所述基底與所述框架之間來形成模制部；以及

通過使所述框架形成圖案來形成第二電路層。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述制備具有設置有第一通道的下表面的框架包括：

制備所述框架；以及

通過用絲網印刷法或注射成型法將導電樹脂注入至所述框架中來在所述框架上形成所述第一通道。

17.根據權利要求15所述的方法，其中所述制備具有設置有第一通道的下表面的框架包括：

制備所述框架；

通過用絲網印刷法或注射成型法將非導電樹脂注入至所述框架中來在所述框架上形成所述第一通道的內部；以及

通過將導電材料電鍍到所述第一通道的內部來形成所述第一通道。

18.根據權利要求15所述的方法，其中所述制備具有設置有第一通道的下表面的框架包括：

制備所述框架；以及

通過利用壓膜提供所述框架一側的塑性變形來形成所述第一通道。

19.根據權利要求18所述的方法，其中所述框架的數目為多個。

20.根據權利要求15所述的方法，其中所述第一通道的下表面的直徑比所述第一通道的上表面的直徑大。

21.根據權利要求15所述的方法，其中所述第一通道的下表面的直徑比所述第一通道的上表面的直徑小。

22.根據權利要求15所述的方法，其中所述第一通道被彎曲一次或多次，從而所述第一通道的上表面的中心和所述第一通道的下表面的中心位于不同的垂直線上。