[發明專利]半導體封裝、制造半導體封裝的方法和疊層式半導體封裝無效

申請號：	201410353021.1	申請日：	2014-07-23
公開（公告）號：	CN104425398A	公開（公告）日：	2015-03-18
發明（設計）人：	金泰賢;俞度在;樸興雨	申請（專利權）人：	三星電機株式會社
主分類號：	H01L23/31	分類號：	H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60
代理公司：	北京潤平知識產權代理有限公司 11283	代理人：	孫向民;肖冰濱
地址：	韓國***	國省代碼：	韓國;KR
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體封裝制造方法疊層式
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【說明書】：

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年8月20日提交的、題為“Semiconductor?Package,Method?of?Manufacturing?Semiconductor?Package,and?Stack?Type?Semiconductor?Package”的韓國專利申請No.10-2013-0098372的權益，由此該韓國專利申請作為參考被整體合并于本申請中。

技術領域

本發明涉及半導體封裝、制造半導體封裝的方法和疊層式半導體封裝。

背景技術

隨著半導體技術的快速發展，半導體裝置顯著發展。而且，已經積極進行半導體封裝(諸如通過提前將例如半導體裝置的電子裝置安裝在印刷電路板上而配置成封裝的系統級封裝(SIP)、芯片尺寸級封裝(CSP)、和覆晶式封裝(FCP))的發展。在半導體封裝中，半導體裝置安裝在印刷電路板上，并經過模制(molding)，然后在模制材料上形成通道。在這種情況下，使用激光來加工用于形成通道的通孔(美國專利No.8354744)。在激光加工的情況下，當加工多個通孔時，不能同時加工通孔，而是需要單個地加工通孔。

發明內容

本發明致力于提供不需要進行激光加工來形成通孔的半導體封裝、制造半導體封裝的方法和疊層式半導體封裝。

而且，本發明致力于提供其中同時形成多個通孔的半導體封裝、制造半導體封裝的方法和疊層式半導體封裝。

另外，本發明致力于提供具有改善的設計自由度的半導體封裝、制造半導體封裝的方法和層疊式半導體封裝。

根據本發明的優選實施方式，提供了一種半導體封裝，包括：基底(base?substrate)，在所述基底上形成第一電路層；半導體裝置，形成在所述基底上；模制部，形成在所述基底上并形成以圍繞所述第一電路層和所述半導體裝置；第一通道，形成在第一電路層上并形成為穿透所述模制部；以及第二電路層，形成在所述模制部的上表面上并與所述第一通道一體成型。

所述第一通道的下表面的直徑可以比所述第一通道的上表面的直徑大。

所述第一通道的下表面的直徑可以比所述第一通道的上表面的直徑小。

所述第一通道可以彎曲一次或多次，以使得所述第一通道的上表面的中心和所述第一通道的下表面的中心位于不同的垂直線上。

所述第一通道可以彎曲一次或多次，以使得所述第一通道的上表面的中心和所述第一通道的下表面的中心位于同一垂直線上。

所述第一通道可以包括導電金屬和導電樹脂中的至少一者。

所述第一通道的內部可以由非導電樹脂制成。

還可以在所述第一通道與所述第一電路層之間形成粘合層。

所述粘合層可以包括低熔點金屬和半固化(temporarily?cured)導電環氧樹脂中的至少一者。

所述半導體裝置可以通過線路連接到所述第一電路層。

所述半導體封裝還可以包括：第二通道，所述第二通道的下表面連接到所述半導體裝置，以及所述第二通道的上表面連接到所述第二電路層。

所述第二電路層可以將所述第一通道與所述第二通道電連接。

所述第二通道可以由與所述第一通道相同的材料制成。