[發明專利]回流處理單元及基板處理裝置有效
| 申請號: | 201410352974.6 | 申請日: | 2014-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN104347452B | 公開(公告)日: | 2017-10-24 |
| 發明(設計)人: | 張健 | 申請(專利權)人: | PSK有限公司;塞米吉爾公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司11290 | 代理人: | 曹正建,陳桂香 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 回流 處理 單元 裝置 | ||
技術領域
本文揭示的本發明關于半導體基板制造裝置及基板處理方法,且更特定而言系關于用于對半導體晶圓執行回流處理過程的裝置及方法,且本申請案為以下者的共同申請案:Semigear-28(處理基板的裝置和方法(Apparatus and Method for Treating a Substrate))及Semigear-32(回流處理單元及基板處理裝置(Reflow Treating Unit and Substrate Treating Apparatus)),Semigear-30及Semigear-32系與本案同時申請,其各自為2012年9月17日申請的美國申請案第13/573,486號(Semigear-24)的CIP申請案,該美國申請案為申請案第12/930,462號(現為美國專利8,274,161)的CIP案,該申請案為申請案第12/930,203號(現為美國專利8,252,678)的CIP案,該申請案為申請案第12/653,454號(現為美國專利7,982,320)的CIP案,該申請案為申請案第11/482,838號(現為美國專利7,632,750)的DIV案,該申請案為申請案第10/832,782號(現為美國專利7,008,879)的CIP案,該申請案為申請案第10/186,823號(現為美國專利6,827,789)的DIV案,以上各案皆以全文引用方式并入本文。
背景技術
隨著半導體組件的高度整合,用于將形成有半導體集成電路的半導體芯片連接至外部電路的連接焊盤的數目增加。因此,安裝于印刷電路板(PCB)上的半導體封裝的引線數目顯著增加。
當引線數目增加時,根據相關技藝來應用引線框架的封裝技術難以應用于包括約500個接腳或500個以上接腳的高度整合半導體芯片。
因此,正在將球狀柵格數組(BGA)封裝技術發展成新的概念,在所述技術中,半導體封裝的輸出端子藉由使用半導體封裝的寬下表面來安置。
在BGA封裝技術中,半導體芯片系安裝于PCB上,且焊球系安置成對應于PCB的輸出端子。此外,半導體封裝的集成電路經由PCB的輸出端子及連接至輸出端子的焊球來電氣連接至電氣組件的外部電路。
此處,焊球系安置于與安裝有半導體集成電路的PCB相對的表面上。此外,需要用于將焊球電氣連接至PCB的輸出端子的焊接過程。
此處,用于在將半導體芯片安裝于PCB表面上之后于預定溫度下將半導體芯片焊接至PCB表面以固化該焊接部分的裝置可稱為回流裝置。
在回流裝置中,將置放有焊球的PCB放入加熱爐中以便在預定溫度下將焊球加熱預定時間。因此,可將焊球焊接至PCB的輸出端子。
通常,在用于執行回流處理過程的基板處理裝置中,構成將回流處理單元內的流體排出的排出設備的裝備的一部分可由于回流過程期間產生的助熔劑及雜質而頻繁地更換。
發明內容
本發明提供一種回流處理單元及一種基板處理裝置,其中將回流處理過程期間產生的流體排出的排出設備能夠有效地排出流體。
本發明的特征不限于上述內容,而熟習此項技術者自以下描述將清楚地理解本文未描述的其他特征。
本發明提供一種基板處理裝置。
本發明的實施例提供基板處理裝置,其包括:負載端口,容納基板的載體設座于該負載端口上;基板處理模塊,其包括用于對該基板執行回流過程的一個回流處理單元或多個回流處理單元;及基板轉移模塊,其包括在該負載端口與該基板處理模塊之間轉移該基板的轉移機器人,該基板轉移模塊安置于該負載端口與該基板處理模塊之間,其中該回流處理單元包括:過程腔室,該過程腔室中具有處理空間;及排出構件,其將該過程腔室內的流體排出,其中該排出構件包括:多個單獨排出管線,其與多個過程腔室彼此連接;及共用排出管線,其連接至該多個單獨排出管線以將該流體排出至該基板處理模塊外部。
在一些實施例中,該排出構件可進一步包括捕集器,其移除該排出流體的雜質。
在其他實施例中,該捕集器可提供為多個,且該多個捕集器可分別安置于該多個單獨排出管線。
在其他實施例中,該捕集器可與該多個單獨排出管線中每一者分開。
在甚至其他實施例中,該多個過程腔室可布置成圓環形狀,該共用排出管線可安置于該環形形狀的中心處,且當自上側觀察時,所述單獨排出管線中每一者可自該環形形狀的該中心徑向延伸。
在其他實施例中,所述單獨排出管線可分別連接至所述過程腔室的上部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





