[發明專利]回流處理單元及基板處理裝置有效
| 申請號: | 201410352974.6 | 申請日: | 2014-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN104347452B | 公開(公告)日: | 2017-10-24 |
| 發明(設計)人: | 張健 | 申請(專利權)人: | PSK有限公司;塞米吉爾公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司11290 | 代理人: | 曹正建,陳桂香 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 回流 處理 單元 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其包含:
負載端口,容納基板的載體設座于該負載端口上;
基板處理模塊,其包含用于對該基板執行回流過程的一個回流處理單元或多個回流處理單元;以及
基板轉移模塊,其包含在該負載端口與該基板處理模塊之間轉移該基板的轉移機器人,該基板轉移模塊安置于該負載端口與該基板處理模塊之間,
其中該回流處理單元包含:
過程腔室,該過程腔室中具有處理空間;以及
排出構件,其將該過程腔室內的流體排出,
其中該排出構件包含:
多個單獨排出管線,其與多個過程腔室彼此連接;以及
共用排出管線,其連接至該多個單獨排出管線以將該流體排出至該基板處理模塊外部,
其中該排出構件進一步包含捕集器,其移除該排出流體的雜質,該捕集器被提供為多個,且該多個捕集器分別安置于該多個單獨排出管線,并且該捕集器可與該多個單獨排出管線中每一者分開。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其中該多個過程腔室布置成圓環形狀,
該共用排出管線安置于該圓環形狀的中心處,且
當自上側觀察時,所述單獨排出管線中每一者自該圓環形狀的該中心徑向延伸。
3.如權利要求2所述的基板處理裝置,其中所述單獨排出管線分別連接至所述過程腔室的上部分。
4.如權利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置,其中該過程腔室包含:
下部外殼;以及
上部外殼,其安置成面對該下部外殼,
其中該回流處理單元進一步包含:
旋轉板,其具有固定該基板的一個基板孔或多個基板孔,該旋轉板安置于該上部外殼與該下部外殼之間;
驅動器,其使該旋轉板旋轉;以及
提升構件,其提升該下部外殼以打開或關閉該過程腔室。
5.一種回流處理單元,其包含:
多個過程腔室,其各自具有處理空間;以及
排出構件,其將該多個過程腔室內的流體排出,
其中該排出構件包含:
多個單獨排出管線,其與該多個過程腔室彼此連接;以及
共用排出管線,其連接至該多個單獨排出管線以將該流體排出至該回流處理單元外部,
其中該排出構件進一步包含捕集器,其移除該排出流體的雜質,該捕集器被提供為多個,且該多個捕集器分別安置于該多個單獨排出管線,并且該捕集器可與該多個單獨排出管線中每一者分開。
6.如權利要求5所述的回流處理單元,其中該多個過程腔室布置成圓環形狀,
該共用排出管線安置于該圓環形狀的中心處,且
當自上側觀察時,所述單獨排出管線中每一者自該圓環形狀的該中心徑向延伸。
7.如權利要求5至6中任一項所述的回流處理單元,其中所述過程腔室中每一者包含:
下部外殼;以及
上部外殼,其安置成面對該下部外殼,
其中該回流處理單元進一步包含:
旋轉板,其具有固定基板的一個基板孔或多個基板孔,該旋轉板安置于該上部外殼與該下部外殼之間;
驅動器,其使該旋轉板旋轉;以及
提升構件,其提升該下部外殼以打開或關閉所述過程腔室中每一者。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





