[發明專利]一種帶有補償偏置電路的低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201410351700.5
• 申請日: 2014-07-22
• 公開（公告）號: CN104158498B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發明（設計）人: 徐厚軍;俞志君;姚英姿
• 申請（專利權）人: 江蘇星宇芯聯電子科技有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司32218
• 代理人: 蔣真

一、技術領域

本發明是一種帶有補償電路的低噪聲放大器，可以對溫度，工藝角，電源電壓的波動進行補償。

二、背景技術

隨著現代通信技術的飛速發展，各種便攜式的電子設備給人們的生活帶來了極大的方便，如手機等。低噪聲放大器是這些設備中必不可少的電路模塊。低噪聲放大器用來從天線接收到微弱信號并進行放大，疊加盡可能少的噪聲。其增益，噪聲，線性度等都將直接影響整個接收機的性能。一個好的低噪聲放大器所應該具備的性能包括：提供足夠高的增益，克服后繼級噪聲的干擾；優良的噪聲性能以防止系統靈敏度的下降；良好的線性度以減少對系統動態范圍的影響；較高的反向隔離度，防止信號的泄漏并增強系統的穩定性；良好的輸入匹配以利于信號的有效傳輸。在實際設計中，通常采用折衷方案，綜合考慮各項因素，兼顧各項指標的平衡。

傳統的低噪聲放大器通常采用共源或共源共柵結構，其中共源共柵的源極電感蛻化放大器最為常見。在實際的制造和使用中，工藝角，溫度的變化對低噪聲放大器的性能有著重要的影響，因此，需要對這些因素進行一定的補償，以保證低噪聲放大器性能的穩定。

三、發明內容

為了補償工藝角，溫度的變化對低噪聲放大器性能的影響，本發明提供了一種帶有補償偏置的單端輸入低噪聲放大器，可以起到補償溫度，工藝角，電源電壓的作用。

本發明的技術方案是：

一種帶有補償偏置的單端輸入低噪聲放大器，其特征是該偏置電路包括第一NMOS晶體管M1、第二NMOS晶體管M2、第三NMOS晶體管M3、第四NMOS晶體管M4、低噪聲放大器的共源放大管M5、低噪聲放大器的共柵晶體管M6、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第一電容C1、第二電容C2和第三電容C3；其中第一NMOS晶體管M1的漏極連接電源VCC，柵極與第二電阻R2和第三電阻R3連接，第二電阻R2的另一端連接電源VCC，第三電阻R3的另一端連接第二NMOS晶體管M2的漏極和第三NMOS晶體管M3的柵極，第三NMOS晶體管M3的柵極經過第一電容C1連接到地，第二NMOS晶體管M2的柵極連接第一NMOS晶體管M1的源極，第一NMOS晶體管M1的源極通過第一電阻R1連接到地；第二NMOS晶體管M2的源極直接連接到地；第三NMOS晶體管M3的漏極連接第四電阻R4，第四電阻R4為低噪聲放大器的共柵晶體管M6的柵極提供偏置電壓，并經過第三電容C3連接到地，第四電阻R4的另一端連接電源VCC，第三NMOS晶體管M3的源極連接第四NMOS晶體管M4的漏極和柵極，第四NMOS晶體管M4經過第五電阻R5給低噪聲放大器的共源放大管M5的柵極提供偏置電壓，并經過第二電容C2連接到地，第四電阻R4的源極接地。

所述第一NMOS晶體管M1的漏極連接電源VCC，源極連接第一電阻R1，柵極則連接第二電阻R2和第三電阻R3，第二電阻R2的另一端連接電源VCC；第二NMOS晶體管M2的漏極連接第三電阻R3的另一端，柵極連接第一NMOS晶體管M1的源極和第一電阻R1，源極接地。第一電阻R1的另一端接地，第一NMOS晶體管M1、第二NMOS晶體管M2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3構成一個反饋的穩定結構。

所述第三NMOS晶體管M3的柵極連接權利要求2中所述的反饋結構中的一個穩定的電壓點，并用電容C1連接到地，第三NMOS晶體管M3的漏極通過第四電阻R4連接至電源VCC，第三NMOS晶體管M3的源極連接第四NMOS晶體管M4的漏極和柵極，第四NMOS晶體管M4的源極接地。

所述第三NMOS晶體管M3的源極經過NMOS晶體管的二極管連接方式到地，并在該源極為低噪聲放大器的共源放大管M5提供偏置電壓。該提供偏置電壓的源極通過一個電容連接到地，并經過大第五電阻R5連接到低噪聲放大器共源管M5的柵極。

所述低噪聲放大器的共柵晶體管M6的偏置電壓可由偏置電路中的任意一個穩定且合適的電路節點提供。

本發明的有益效果是：

這種偏置電路可以對溫度，工藝角以及電源電壓的變化進行一定的補償，使得低噪聲放大器在不同的工藝角，溫度，電源電壓下性能保持基本的穩定，或者做出進一步的過補償調整，以滿足實際生產和應用條件下的需求。

四、附圖說明

圖1本發明的帶有補償偏置電路的低噪聲放大器的電路原理圖。

五、具體實施方案

以下結合附圖對本發明做進一步詳述：