[發(fā)明專利]一種帶有補(bǔ)償偏置電路的低噪聲放大器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410351700.5
• 申請(qǐng)日: 2014-07-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104158498B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐厚軍;俞志君;姚英姿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇星宇芯聯(lián)電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H03F1/30
• 分類號(hào): H03F1/30
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責(zé)任公司32218
• 代理人: 蔣真

1.一種帶有補(bǔ)償偏置的單端輸入低噪聲放大器，其特征是該偏置電路包括第一NMOS晶體管(M1)、第二NMOS晶體管(M2)、第三NMOS晶體管(M3)、第四NMOS晶體管(M4)、低噪聲放大器的共源放大管(M5)、低噪聲放大器的共柵晶體管(M6)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第四電阻(R4)、第五電阻(R5)、第一電容(C1)、第二電容(C2)和第三電容(C3)；其中第一NMOS晶體管(M1)的漏極連接電源(VCC)，柵極與第二電阻(R2)和第三電阻(R3)連接，第二電阻(R2)的另一端連接電源(VCC)，第三電阻(R3)的另一端連接第二NMOS晶體管(M2)的漏極和第三NMOS晶體管(M3)的柵極，第三NMOS晶體管(M3)的柵極經(jīng)過(guò)第一電容(C1)連接到地，第二NMOS晶體管(M2)的柵極連接第一NMOS晶體管(M1)的源極，第一NMOS晶體管(M1)的源極通過(guò)第一電阻(R1)連接到地；第二NMOS晶體管(M2)的源極直接連接到地；第三NMOS晶體管(M3)的漏極連接第四電阻(R4)，第四電阻(R4)為低噪聲放大器的共柵晶體管(M6)的柵極提供偏置電壓，并經(jīng)過(guò)第三電容(C3)連接到地，第四電阻(R4)的另一端連接電源(VCC)，第三NMOS晶體管(M3)的源極連接第四NMOS晶體管(M4)的漏極和柵極，第四NMOS晶體管(M4)經(jīng)過(guò)第五電阻(R5)給低噪聲放大器的共源放大管(M5)的柵極提供偏置電壓，并經(jīng)過(guò)第二電容(C2)連接到地，第四電阻(R4)的源極接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有補(bǔ)償偏置的單端輸入低噪聲放大器，其特征是所述第一NMOS晶體管(M1)的漏極連接電源(VCC)，源極連接第一電阻(R1)，柵極則連接第二電阻(R2)和第三電阻(R3)，第二電阻(R2)的另一端連接電源(VCC)；第二NMOS晶體管(M2)的漏極連接第三電阻(R3)的另一端，柵極連接第一NMOS晶體管(M1)的源極和第一電阻(R1)，源極接地。第一電阻(R1)的另一端接地，第一NMOS晶體管(M1)、第二NMOS晶體管(M2)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)構(gòu)成一個(gè)反饋的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有補(bǔ)償偏置的單端輸入低噪聲放大器，其特征是所述第三NMOS晶體管(M3)的柵極連接權(quán)利要求2中所述的反饋結(jié)構(gòu)中的一個(gè)穩(wěn)定的電壓點(diǎn)，并用電容C1連接到地，第三NMOS晶體管(M3)的漏極通過(guò)第四電阻(R4)連接至電源(VCC)，第三NMOS晶體管(M3)的源極連接第四NMOS晶體管(M4)的漏極和柵極，第四NMOS晶體管(M4)的源極接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有補(bǔ)償偏置的單端輸入低噪聲放大器，其特征是所述第三NMOS晶體管(M3)的源極經(jīng)過(guò)NMOS晶體管的二極管連接方式到地，并在該源極為低噪聲放大器的共源放大管(M5)提供偏置電壓。該提供偏置電壓的源極通過(guò)一個(gè)電容連接到地，并經(jīng)過(guò)大第五電阻(R5)連接到低噪聲放大器的共源放大管(M5)的柵極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有補(bǔ)償偏置的單端輸入低噪聲放大器，其特征是所述低噪聲放大器的共柵晶體管(M6)的偏置電壓可由偏置電路中的任意一個(gè)穩(wěn)定且合適的電路節(jié)點(diǎn)提供。