[發(fā)明專利]TFT背板的制作方法及TFT背板結構

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• 申請日: 2014-07-22
• 公開（公告）號: CN104091785A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發(fā)明（設計）人: 李文輝;王宜凡;蘇智昱;呂曉文
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT背板的制作方法及TFT背板結構。

背景技術

平面顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用。現(xiàn)有的平面顯示裝置主要包括液晶顯示裝置(Liquid?Crystal?Display，LCD)及有機電致發(fā)光顯示裝置(Organic?Light?Emitting?Display，OLED)。

OLED由于同時具備自發(fā)光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單等優(yōu)異特性，被認為是下一代平面顯示裝置的新興應用技術。

薄膜晶體管(TFT)是平面顯示裝置的重要組成部分。由于TFT可形成在玻璃基板或塑料基板上，所以它們通常作為開光裝置和驅動裝置用在諸如LCD、OLED、電泳顯示裝置(EPD)上。

氧化物半導體TFT技術是當前的熱門技術。由于氧化物半導體具有較高的電子遷移率，而且相比低溫多晶硅(LTPS)，氧化物半導體制程簡單，與非晶硅制程相容性較高，可以應用于LCD、OLED、柔性顯示(Flexible)等領域，且與高世代生產(chǎn)線兼容，可應用于大中小尺寸顯示，具有良好的應用發(fā)展前景。

現(xiàn)有的較為成熟的氧化物半導體TFT背板的結構是具有刻蝕阻擋層的結構。如圖1至圖10所示，現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板100，在該基板100上成膜第一金屬層，通過一道光刻制程圖案化該第一金屬層，形成位于基板100一側的柵極200與位于基板100另一側的第一金屬電極M1；

步驟2、在所述柵極200、第一金屬電極M1與基板100上成膜柵極絕緣層300，通過一道光刻制程圖案化該柵極絕緣層300，形成柵極絕緣層過孔310，以露出部分柵極200；

步驟3、在所述柵極絕緣層300上成膜并通過一道光刻制程圖案化，形成島狀的氧化物半導體層400；

步驟4、在所述氧化物半導體層400與柵極絕緣層300上成膜刻蝕阻擋層500，并通過一道光刻制程圖案化該刻蝕阻擋層500，形成數(shù)個刻蝕阻擋層過孔510，以露出部分氧化物半導體層400；

步驟5、在所述刻蝕阻擋層500上成膜第二金屬層，通過一道光刻制程圖案化該第二金屬層，形成位于所述基板100一側的源/漏極600與位于基板100另一側的第二金屬電極M2，所述源/漏極600填充數(shù)個刻蝕阻擋層過孔510與氧化物半導體層400連接，所述源/漏極600填充柵極絕緣層過孔310與柵極200連接；

所述第一金屬電極M1、第二金屬電極M2、及夾在第一、第二金屬電極M1、M2之間的部分柵極絕緣層300與部分刻蝕阻擋層500形成存儲電容C；

步驟6、在源/漏極600與第二金屬電極M2上形成鈍化保護層700，并通過一道光刻制程使其圖案化；

步驟7、在所述鈍化保護層700上形成平坦層800，并通過一道光刻制程使其圖案化；

步驟8、在所述平坦層800上形成像素電極層900，并通過一道光刻制程使其圖案化；

步驟9、在所述像素電極層900與平坦層800上形成像素定義層1000，并通過一道光刻制程使其圖案化；

步驟10、在所述像素定義層1000上形成隔離柱1100。

該現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法存在一定的問題，主要表現(xiàn)在三個方面：一、氧化物半導體TFT背板的制作共需要十道光刻制程，其中刻蝕阻擋層500的制作需要一道完整的光刻制程(包括成膜、黃光、蝕刻、剝離等制程工序)，造成工序流程較長，生產(chǎn)效率較低，生產(chǎn)成本增加，而工序越多，累積的良率問題也越凸顯；二、柵極絕緣層300、氧化物半導體層400與刻蝕阻擋層500非連續(xù)成膜，氧化物半導體層400與其它兩層的界面容易受到蝕刻液、剝離液的污染，存在造成TFT性能下降的風險；三、存儲電容C由第一金屬電極M1、第二金屬電極M2、夾在第一、第二金屬電極M1、M2之間的部分柵極絕緣層300與部分刻蝕阻擋層500形成，由于多了刻蝕阻擋層500的厚度，造成存儲電容C需要較大的面積，引起開口率下降。

因此，需要對該方法進行改進，以消除其存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種TFT背板的制作方法，能夠減少光刻制程，縮短工序流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，提升良率；避免半導體層與柵極絕緣層、刻蝕阻擋層的界面受到污染，保證TFT的性能；并使得存儲電容面積減小，提高開口率。