[發明專利]TFT背板的制作方法及TFT背板結構

在審

• 申請號: 201410351330.5
• 申請日: 2014-07-22
• 公開（公告）號: CN104091785A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 李文輝;王宜凡;蘇智昱;呂曉文
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種TFT背板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供一基板(1)，在該基板(1)上成膜第一金屬層，并圖案化該第一金屬層，形成位于基板(1)一側的柵極(2)與位于基板(1)另一側的第一金屬電極M1；

步驟2、在所述柵極(2)、第一金屬電極M1與基板(1)上連續成膜，依次形成柵極絕緣層(3)、半導體層、與刻蝕阻擋層，并通過一道光刻制程圖案化所述半導體層與刻蝕阻擋層，形成島狀的半導體層(4)與島狀的刻蝕阻擋層(5)；

步驟3、通過一道光刻制程圖案化所述島狀的刻蝕阻擋層(5)與柵極絕緣層(3)，形成數個刻蝕阻擋層過孔(51)與柵極絕緣層過孔(31)，分別露出部分半導體層(4)、與柵極(2)；

步驟4、在所述島狀的刻蝕阻擋層(5)與柵極絕緣層(3)上成膜第二金屬層，并圖案化該第二金屬層，形成位于所述基板(1)一側的源/漏極(6)與位于基板(1)另一側的第二金屬電極M2；所述源/漏極(6)填充數個刻蝕阻擋層過孔(51)與半導體層(4)連接；所述源/漏極(6)填充柵極絕緣層過孔(31)與柵極(2)連接；位于所述基板(1)另一側的部分柵極絕緣層(3)夾在第二金屬電極M2與第一金屬電極M1之間；

步驟5、在源/漏極(6)與第二金屬電極M2上形成鈍化保護層(7)，并圖案化該鈍化保護層(7)；

步驟6、在所述鈍化保護層(7)上形成平坦層(8)，并圖案化該平坦層(8)；

步驟7、在所述平坦層(8)上形成像素電極層(9)，并圖案化該像素電極層(9)；所述像素電極(9)與源/漏極(6)連接；

步驟8、在所述像素電極層(9)與平坦層(8)上形成像素定義層(10)，并圖案化該像素定義層(10)。

2.如權利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，還包括步驟9、在所述像素定義層(10)上形成隔離柱(11)。

3.如權利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬電極M1、第二金屬電極M2、及夾在第一、第二金屬電極M1、M2之間的部分柵極絕緣層(3)形成存儲電容C。

4.如權利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述半導體層(4)為氧化物半導體層或非氧化物半導體層。

5.如權利要求4所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半導體層為IGZO半導體層。

6.如權利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述鈍化保護層(7)的材料為無機材料，所述平坦層(8)的材料為有機材料，所述像素電極層(9)的材料為ITO或IZO，所述像素定義層(10)的材料為有機材料。

7.一種TFT背板結構，其特征在于，包括基板(1)、位于基板(1)一側上的柵極(2)、位于基板(1)另一側上的第一金屬電極M1、位于柵極(2)、第一金屬電極M1與基板(1)上的柵極絕緣層(3)、位于柵極絕緣層(3)上的島狀半島體層(4)、位于半導體層(4)上的島狀刻蝕阻擋層(5)、位于刻蝕阻擋層(5)上的源/漏極(6)、位于第一金屬電極M1上方的柵極絕緣層(3)上的第二金屬電極M2、位于源/漏極(6)與第二金屬電極M2上的鈍化保護層(7)、位于鈍化保護層(7)上的平坦層(8)、位于平坦層(8)上的像素電極層(9)、位于像素電極層(9)與平坦層(8)上的像素定義層(10)，所述柵極絕緣層(3)具有柵極絕緣層過孔(31)，所述刻蝕阻擋層(5)具有數個刻蝕阻擋層過孔(51)，所述源/漏極(6)填充數個刻蝕阻擋層過孔(51)與半導體層(4)連接，所述源/漏極(6)填充柵極絕緣層過孔(31)與柵極(2)連接，所述第一金屬電極M1、第二金屬電極M2、及夾在第一、第二金屬電極M1、M2之間的部分柵極絕緣層(3)形成存儲電容C，所述像素電極(9)與源/漏極(6)連接。

8.如權利要求7所述的TFT背板結構，其特征在于，還包括位于像素定義層(10)上的隔離柱(11)。

9.如權利要求7所述的TFT背板結構，其特征在于，所述半導體層(4)為氧化物半導體層或非氧化物半導體層，所述鈍化保護層(7)的材料為無機材料，所述平坦層(8)的材料為有機材料，所述像素電極層(9)的材料為ITO或IZO，所述像素定義層(10)的材料為有機材料。

10.如權利要求9所述的TFT背板結構，其特征在于，所述氧化物半導體層為IGZO半導體層。