[發(fā)明專利]濕法刻蝕裝置及其刻蝕方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410351266.0 | 申請日: | 2014-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN104091775A | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 常建宇 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰;楊林 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 濕法 刻蝕 裝置 及其 方法 | ||
1.一種濕法刻蝕裝置,包括刻蝕槽(110)及設(shè)置在刻蝕槽(110)之內(nèi)的多根滾輪(120),所述多根滾輪(120)用于承載待刻蝕的基板(150),其特征在于,所述濕法刻蝕裝置還包括浸泡槽(130)及升降器(140),其中,所述浸泡槽(130)設(shè)置在所述刻蝕槽(110)之內(nèi),并位于所述滾輪(120)之下,所述升降器(140)設(shè)置在所述浸泡槽(130)的底板(131)的下表面上,所述升降器(140)推動所述浸泡槽(130)上升或下降,以使所述浸泡槽(130)中的刻蝕液浸沒或脫離所述待刻蝕的基板(150)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕裝置,其特征在于,所述浸泡槽(130)的第一側(cè)板(132)和第二側(cè)板(133)的厚度均小于任意兩根所述滾輪(120)之間的最小間隔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濕法刻蝕裝置,其特征在于,所述浸泡槽(130)的第一側(cè)板(132)和第二側(cè)板(133)均沿豎直方向下降,以使所述第一側(cè)板(132)和第二側(cè)板(133)的頂面平齊于或低于所述底板(131)的上表面,從而使所述浸泡槽(130)中已使用的刻蝕液完全排出。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濕法刻蝕裝置,其特征在于,所述濕法刻蝕裝置還包括第一電磁閥(161)和第二電磁閥(162),其中,所述第一電磁閥(161)設(shè)置在所述第一側(cè)板(132)上,用于控制所述第一側(cè)板(132)上升或下降,所述第二電磁閥(162)設(shè)置在所述第二側(cè)板(133)上,用于控制所述第二側(cè)板(133)上升或下降。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕裝置,其特征在于,所述浸泡槽(130)由聚氯乙烯材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕裝置,其特征在于,所述升降器(140)的外表面包裹耐腐蝕性材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的濕法刻蝕裝置,其特征在于,所述第一電磁閥(161)和第二電磁閥(162)的外表面均包裹耐腐蝕性材料。
8.一種權(quán)利要求1至7任一項所述的濕法刻蝕裝置的刻蝕方法,其特征在于,包括:
利用多根滾輪(120)將待刻蝕的基板(150)傳送至刻蝕槽(110)中,同時在浸泡槽(130)中注滿刻蝕液;
利用升降器(140)推動所述浸泡槽(130)上升,以使所述浸泡槽(130)中的刻蝕液浸沒所述待刻蝕的基板(150),對所述待刻蝕的基板(150)進行刻蝕。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的刻蝕方法,其特征在于,還包括:
在所述待刻蝕的基板(150)刻蝕完成之后,利用升降器(140)推動所述浸泡槽(130)下降,以使刻蝕液脫離經(jīng)刻蝕的基板(150)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的刻蝕方法,其特征在于,還包括:
將所述浸泡槽(130)的相對的第一側(cè)板(132)和第二側(cè)板(133)沿豎直方向下降,以使所述第一側(cè)板(132)和第二側(cè)板(133)的頂面平齊于或低于所述底板(131)的上表面,從而使所述浸泡槽(130)中已使用的刻蝕液完全排出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





