[發(fā)明專利]濕法刻蝕裝置及其刻蝕方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410351266.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104091775A | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 常建宇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰;楊林 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 濕法 刻蝕 裝置 及其 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及濕法刻蝕技術(shù)領(lǐng)域,具體地講,涉及一種濕法刻蝕裝置及其刻蝕方法。
背景技術(shù)
濕法刻蝕工藝指的是采用液態(tài)化學(xué)藥品對(duì)刻蝕物進(jìn)行去除的刻蝕技術(shù)。濕法刻蝕是用適當(dāng)?shù)目涛g液,與刻蝕物進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),改變刻蝕物的結(jié)構(gòu),使無光刻膠覆蓋的部分脫離基片表面,而把有光刻膠覆蓋的區(qū)域保存下來,這樣便在基片表面得到了所需要的圖案。
在液晶顯示面板制造過程中,對(duì)玻璃基板進(jìn)行濕法刻蝕的模式主要包括噴淋(Spray)模式和浸泡(Dip)模式。
在傳統(tǒng)的浸泡模式中,如圖1所示,濕法刻蝕裝置包括刻蝕槽11及設(shè)置在刻蝕槽11內(nèi)的多根平行的滾輪12,其中,刻蝕槽11的左右兩側(cè)板上分別設(shè)有閥門13。待刻蝕的玻璃基板14在滾輪12的帶動(dòng)下進(jìn)入刻蝕槽11后,需要將化學(xué)刻蝕液注滿后才能對(duì)玻璃基板14進(jìn)行浸泡刻蝕,這樣不利于縮短浸泡刻蝕時(shí)間。此外,隨著浸泡刻蝕的進(jìn)行,刻蝕槽11內(nèi)的化學(xué)刻蝕液的有效成分變化較快,而通過刻蝕槽11的閥門13無法將刻蝕槽11內(nèi)的化學(xué)刻蝕液完全排出,導(dǎo)致化學(xué)刻蝕液的置換能力不足,長(zhǎng)時(shí)間積累會(huì)使得刻蝕槽11內(nèi)的化學(xué)刻蝕液變質(zhì),從而影響對(duì)玻璃基板14的刻蝕品質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本發(fā)明的目的在于提供一種濕法刻蝕裝置,包括刻蝕槽及設(shè)置在刻蝕槽之內(nèi)的多根滾輪,所述多根滾輪用于承載待刻蝕的基板,其中,所述濕法刻蝕裝置還包括浸泡槽及升降器,其中,所述浸泡槽設(shè)置在所述刻蝕槽之內(nèi),并位于所述滾輪之下,所述升降器設(shè)置在所述浸泡槽的底板的下表面上,所述升降器推動(dòng)所述浸泡槽上升或下降,以使所述浸泡槽中的刻蝕液浸沒或脫離所述待刻蝕的基板。
進(jìn)一步地,所述浸泡槽的第一側(cè)板和第二側(cè)板的厚度均小于任意兩根所述滾輪之間的最小間隔。
進(jìn)一步地,所述浸泡槽的第一側(cè)板和第二側(cè)板均沿豎直方向下降,以使所述第一側(cè)板和第二側(cè)板的頂面平齊于或低于所述底板的上表面,從而使所述浸泡槽中已使用的刻蝕液完全排出。
進(jìn)一步地,所述濕法刻蝕裝置還包括第一電磁閥和第二電磁閥,其中,所述第一電磁閥設(shè)置在所述第一側(cè)板上,用于控制所述第一側(cè)板上升或下降,所述第二電磁閥設(shè)置在所述第二側(cè)板上,用于控制所述第二側(cè)板上升或下降。
進(jìn)一步地,所述浸泡槽由聚氯乙烯材料形成。
進(jìn)一步地,所述升降器的外表面包裹耐腐蝕性材料。
進(jìn)一步地,所述第一電磁閥和第二電磁閥的外表面均包裹耐腐蝕性材料。
本發(fā)明的另一目的還在于提供一種上述的濕法刻蝕裝置的刻蝕方法,其包括:利用多根滾輪將待刻蝕的基板傳送至刻蝕槽中,同時(shí)在浸泡槽中注滿刻蝕液;利用升降器推動(dòng)所述浸泡槽上升,以使所述浸泡槽中的刻蝕液浸沒所述待刻蝕的基板,對(duì)所述待刻蝕的基板進(jìn)行刻蝕。
進(jìn)一步地,所述刻蝕方法還包括:在所述待刻蝕的基板刻蝕完成之后,利用升降器推動(dòng)所述浸泡槽下降,以使所述刻蝕液脫離經(jīng)刻蝕的基板。
進(jìn)一步地,所述刻蝕方法還包括:將所述浸泡槽的相對(duì)的第一側(cè)板和第二側(cè)板沿豎直方向下降,以使所述第一側(cè)板和第二側(cè)板的頂面平齊于或低于所述底板的上表面,從而使所述浸泡槽中的刻蝕液完全排出。
本發(fā)明的濕法刻蝕裝置及其刻蝕方法,在利用多根滾輪將基板傳送至刻蝕槽中的同時(shí),可向浸泡槽中注滿新的刻蝕液,這樣就無需等到基板被多根滾輪帶動(dòng)傳送至刻蝕槽之后,才向浸泡槽注入刻蝕液,利于縮短浸泡刻蝕時(shí)間。此外,本發(fā)明的濕法刻蝕裝置及其刻蝕方法能夠?qū)⒔莶蹆?nèi)已使用的刻蝕液完全排出,從而避免由于浸泡槽內(nèi)的刻蝕液的置換能力不足,長(zhǎng)時(shí)間積累使得刻蝕液變質(zhì)的現(xiàn)象。
附圖說明
通過結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述,本發(fā)明的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚,附圖中:
圖1是現(xiàn)有的濕法刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的濕法刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3a至圖3d分別示出利用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的濕法刻蝕裝置刻蝕基板的刻蝕過程圖。
具體實(shí)施方式
以下,將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而,可以以許多不同的形式來實(shí)施本發(fā)明,并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反,提供這些實(shí)施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用,從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的濕法刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





