[發明專利]NAND閃存器件的形成方法

有效

• 申請號: 201410350413.2
• 申請日: 2014-07-22
• 公開（公告）號: CN105336699B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 任佳;張翼英
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11524;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳圳添;駱蘇華

1.一種NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底具有核心器件區和位于所述核心器件區邊緣的外圍電路區；

在所述核心器件區上形成多個分立的第一柵極結構和位于所述第一柵極結構上的第一硬掩膜層，所述第一柵極結構包括第一柵極和第一柵介質層；

在所述第一柵極結構兩側形成第一介質層；

刻蝕所述第一介質層，直至形成暴露所述第一柵極側壁的溝槽；

對所述溝槽的側壁進行沖刷工藝，以修復損傷并形成覆蓋所述溝槽側壁的保護層；

在進行所述沖刷工藝之后，去除所述第一硬掩膜層。

2.如權利要求1所述的NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，所述沖刷工藝采用的氣體包括O₂，O₂的流量范圍為50sccm～300sccm，所述沖刷工藝采用的時間范圍為10s～60s。

3.如權利要求1所述的NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，所述沖刷工藝采用的氣體包括N₂，N₂的流量范圍為50sccm～500sccm，所述沖刷工藝采用的時間范圍為30s～100s。

4.如權利要求2或3所述的NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，所述沖刷工藝采用的溫度范圍為35℃～60℃。

5.如權利要求2所述的NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，所述第一柵極為浮柵，在去除所述第一硬掩膜層之后，所述形成方法還包括在所述第一柵極的側壁和頂部形成ONO層的步驟。

6.如權利要求5所述的NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，在去除所述第一硬掩膜層之后，且在形成所述ONO層之前，還包括對所述溝槽進行清洗的步驟。

7.如權利要求1所述的NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述第一介質層，所述干法刻蝕工藝采用的氣體包括C₄F₆、Ar和O₂，C₄F₆的流量范圍為10sccm～20sccm，Ar的流量范圍為400sccm～1000sccm，O₂的流量范圍為8sccm～20sccm。

8.如權利要求1所述的NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝刻蝕所述第一介質層，所述濕法刻蝕工藝采用的溶液包括稀氫氟酸，所述氫氟酸的質量濃度為0.1％～50％，所述稀氫氟酸的溫度范圍為0℃～90℃。

9.如權利要求1所述的NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，在形成所述溝槽之后，且在進行所述沖刷工藝之前，還包括對所述溝槽進行清洗的步驟。

10.如權利要求1所述的NAND閃存器件的形成方法，其特征在于：

在所述核心器件區上形成所述第一柵極結構和所述第一硬掩膜層時，在所述外圍電路區上形成至少兩個第二柵極結構和位于所述第二柵極結構上的第二硬掩膜層；

在所述第一柵極結構兩側形成第一介質層時，在相鄰所述第二柵極結構之間形成第二介質層；

在刻蝕所述第一介質層之前，形成保護層覆蓋所述第二介質層和所述第二硬掩膜層。

11.如權利要求10所述的NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一介質層和所述第二介質層之后，且在形成所述保護層之前，還包括對所述第一介質層和所述第二介質層進行平坦化的步驟。

12.如權利要求1所述的NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層的材料為氮化硅層，采用熱磷酸去除所述第一硬掩膜層。

13.如權利要求1所述的NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，所述保護層的材料為光刻膠。