[發(fā)明專利]環(huán)形壓敏電阻器及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410350035.8
• 申請(qǐng)日: 2014-07-22
• 公開（公告）號(hào): CN104134501B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張振勇;鄧佩佳;夏穎梅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01C7/10
• 分類號(hào): H01C7/10;H01C7/108;H01C17/00
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 吳平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子材料與元器件領(lǐng)域，尤其涉及一種環(huán)形壓敏電阻器及其制備方法。

背景技術(shù)

環(huán)形壓敏電阻是一種伏安特性呈非線性的敏感元件，在正常電壓條件下，這相當(dāng)于一只小電容器，而當(dāng)電路出現(xiàn)過電壓時(shí)，它的電阻急劇下降，并迅速導(dǎo)通，其工作電流增加幾個(gè)數(shù)量級(jí)。通過壓敏電阻器的電阻值對(duì)外加電壓的變化，從而有效地保護(hù)了并聯(lián)電路中的其它元器件不致過壓而損壞和抑制回路電壓的峰值在一定的范圍。

隨著手機(jī)市場的發(fā)展迅速，手機(jī)作為一個(gè)生活中的必備品，推動(dòng)著手機(jī)設(shè)計(jì)與制造技術(shù)方面的快速創(chuàng)新發(fā)展，一代代新型的大屏超薄智能機(jī)的出現(xiàn)，于是設(shè)計(jì)上要求微型震動(dòng)馬達(dá)更是占用更少的PCB面積，并需要馬達(dá)采用較薄的設(shè)計(jì)，更強(qiáng)的震動(dòng)力度。那么，對(duì)于微型震動(dòng)馬達(dá)配套的電子元件微型環(huán)形壓敏電阻要更小更精密的尺寸才能滿足應(yīng)用于新一代的軸向設(shè)計(jì)有刷手機(jī)震動(dòng)馬達(dá)上。而現(xiàn)有的Φ3.0mm尺寸的微型環(huán)形壓敏電阻器已經(jīng)不能滿足新一代的軸向設(shè)計(jì)有刷手機(jī)震動(dòng)馬達(dá)縮減40％體積的要求，且僅將現(xiàn)有的微型環(huán)形壓敏電阻器在尺寸上縮小，其機(jī)械強(qiáng)度和電性能都無法達(dá)到有刷手機(jī)震動(dòng)馬達(dá)的性能要求。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于此，有必要提供一種具有較高的機(jī)械強(qiáng)度和較好的電性能的環(huán)形壓敏電阻器。

此外，還提供一種環(huán)形壓敏電阻器的制備方法，該方法制備的環(huán)形壓敏電阻器的機(jī)械強(qiáng)度較高且電性能較好。

一種環(huán)形壓敏電阻器，包括環(huán)形的壓敏陶瓷基體及固定設(shè)置于所述壓敏陶瓷基體上的電極組件，所述電極組件包括表層銀電極和歐姆接觸電極，所述表層銀電極固定設(shè)置于所述壓敏陶瓷基體上，并與所述壓敏陶瓷基體共同形成一封閉的容置腔，所述歐姆接觸電極固定于所述壓敏陶瓷基體上，并收容于所述容置腔內(nèi)，且所述歐姆接觸電極的表面與所述容置腔的側(cè)壁緊密貼合；

其中，所述壓敏陶瓷基體由混合粉末燒結(jié)形成，按照質(zhì)量百分比，所述混合粉末包括如下組分：30％～50％的氧化鍶、20％～32％的氧化鈦、13％～20％的氧化鋇、16％～20％的氧化鋯、0.3％～0.5％的氧化鑭、0.1％～0.5％的氧化鈮、0.1％～0.2％的氧化硅及0.3％～1.0％的硝酸錳。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述歐姆接觸電極由混合材料燒制形成，按照質(zhì)量百分比，所述混合材料包括如下組分：40％～60％的銀粉、5％～11％的鋅粉、2％～6％的鎵粉、8％～13％的玻璃粉、5％～12％的乙基纖維素樹脂及16％～22％的溶劑；所述表層銀電極由混合物料燒制形成，按照質(zhì)量百分比，所述混合物料包括如下組分：25％～35％的銀片、45％～55％的銀粉、2％～6％的玻璃粉、2％～8％的乙基纖維素樹脂及6％～16％的溶劑。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述表層銀電極的截面為弓形，所述表層銀電極的截面為弓形，所述表層銀電極遠(yuǎn)離所述壓敏陶瓷基體的一側(cè)表面為弧形面，所述表層銀電極靠近所述壓敏陶瓷基體的一個(gè)表面的中部凹陷形成一收容槽，所述容置腔由所述收容槽的邊緣與所述壓敏陶瓷基體固定連接后形成。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述壓敏陶瓷基體的外徑為2.35毫米～2.45毫米，內(nèi)徑為1.63毫米～1.77毫米；所述壓敏陶瓷基體為片狀，所述壓敏陶瓷基體具有第一平面及與所述第一平面相對(duì)的第二平面，所述電極組件固定于所述第一平面上，所述表層銀電極的弧形面到所述第二平面的最大距離為0.3毫米～0.4毫米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述表層銀電極的弧形面到所述第一平面的最大距離為90微米～100微米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述歐姆接觸電極與所述壓敏陶瓷基體的接觸面積占所述電極組件與所述壓敏陶瓷基體的接觸面積的60％～80％。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電極組件為多個(gè)，且多個(gè)所述電極組件沿所述壓敏陶瓷基體的周緣間隔設(shè)置。

一種環(huán)形壓敏電阻器的制備方法，包括如下步驟：

提供混合粉末，并將所述混合粉末壓制成環(huán)形的生坯，其中，按照質(zhì)量百分比，所述混合粉末包括如下組分：30％～50％的氧化鍶、20％～32％的氧化鈦、13％～20％的氧化鋇、16％～20％的氧化鋯、0.3％～0.5％的氧化鑭、0.1％～0.5％的氧化鈮、0.1％～0.2％的氧化硅及0.3％～1.0％的硝酸錳；

將所述生坯于1100℃～1200℃燒結(jié)6小時(shí)～8小時(shí)，得到半成瓷體；

在還原氣體中，將所述半成瓷體于1300℃～1400℃燒結(jié)2小時(shí)～3小時(shí)，得到半導(dǎo)化陶瓷體；