[發明專利]一種具有低多晶摻雜濃度的單柵非易失存儲單元

在審

• 申請號: 201410346979.8
• 申請日: 2014-07-21
• 公開（公告）號: CN104123962A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 李建成;李聰;尚靖;李文曉;王震;谷曉忱;鄭黎明;曾祥華;李浩
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科學技術大學;湖南晟芯源微電子科技有限公司
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;H01L27/115
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 胡偉華

1.一種具有低多晶摻雜濃度的單柵非易失存儲單元，其特征在于：包括控制管、隧穿管以及選擇管，控制管和選擇管為PMOS晶體管，隧穿管為改進的具有低多晶摻雜濃度的PMOS管；控制管、隧穿管的柵極連接在一起，作為存儲電荷的浮柵，該浮柵與外界通過絕緣層隔離；控制管駐留在第一個N阱中，隧穿管和選擇管駐留在第二個N阱中；控制管的源極、漏極與第一個N阱連接在一起作為控制端子，隧穿管的源極與第二個N阱連接在一起作為隧穿端子，選擇管的柵極作為選擇端子，選擇管的源極與隧穿管的漏極連接，選擇管的漏極輸出數據。

2.根據權利要求1所述的具有低多晶摻雜濃度的單柵非易失存儲單元，其特征在于：所述改進的具有低多晶摻雜濃度的PMOS管，其是在PMOS管的柵極進行HR注入，HR注入的雜質類型為P型，且濃度低于P+注入。

3.根據權利要求2所述的具有低多晶摻雜濃度的單柵非易失存儲單元，其特征在于：控制管、隧穿管以及選擇管均為單柵結構，且具有相同的柵極氧化物厚度。

4.根據權利要求2所述的具有低多晶摻雜濃度的單柵非易失存儲單元，其特征在于：所述的隧穿管的柵極區面積小于控制管的柵極區面積。

5.根據權利要求2所述的具有低多晶摻雜濃度的單柵非易失存儲單元，其特征在于：所述控制端子和隧穿端子，這兩端容性耦合的電勢，疊加后形成浮柵上的電勢。

6.根據權利要求2所述的具有低多晶摻雜濃度的單柵非易失存儲單元，其特征在于：所述控制端子、隧穿端子與選擇端子在編程操作、擦除操作、讀取操作時分別施加不同的電壓組合。