[發明專利]圖案轉印模具和圖案形成方法在審
| 申請號: | 201410343245.4 | 申請日: | 2014-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN104299892A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 李永芳;稻浪良市;三本木晶子;佐藤隆;齊藤匡人;國分弘一 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 王瓊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖案 印模 形成 方法 | ||
1.一種圖案轉印模具,包括:
基體,包括
包括第一表面的基本單元,
設置在所述第一表面上的第一凸部,所述第一凸部具有與所述第一表面相交的第一側表面,和
第二凸部,其設置在所述第一表面上并且沿著平行于所述第一表面的第一方向與所述第一凸部分開,所述第二凸部具有與所述第一表面相交并且沿著所述第一方向與所述第一側表面相對的第二側表面;
第一疊層體,其設置在所述第一側表面上在所述第一凸部和所述第二凸部之間,所述第一疊層體包括多個第一導電層和第一絕緣層,所述第一導電層沿著所述第一方向配置,所述第一絕緣層設置在所述第一導電層之間;
第二疊層體,其設置在所述第二側表面上在所述第一凸部和所述第二凸部之間,并且與所述第一疊層體分開,所述第二疊層體包括多個第二導電層和第二絕緣層,所述第二導電層沿著所述第一方向配置,所述第二絕緣層被設置在所述第二導電層之間,所述第二疊層體能夠在所述第一疊層體和所述第二疊層體之間容納氣體或者硬度低于所述第一凸部、所述第二凸部、所述第一疊層體和所述第二疊層體的硬度的材料;
第一電極,其電連接到所述第一導電層中的至少一個上;和
第二電極,其電連接到所述第二導電層中的至少一個上。
2.根據權利要求1所述的模具,其特征在于,所述氣體被容納在所述第一疊層體和所述第二疊層體之間。
3.根據權利要求1所述的模具,其特征在于,還包括設置在所述第一疊層體和所述第二疊層體之間的區域的至少一部分中的所述材料的填充單元。
4.根據權利要求1所述的模具,其特征在于,還包括樹脂層,其設置在所述第一疊層體和所述第二疊層體之間的區域的至少一部分中。
5.根據權利要求1所述的模具,其特征在于,
所述基本單元還包括側表面單元,所述側表面單元具有與所述第一表面相交的表面,并且
選自所述第一電極和所述第二電極中的至少一個延伸到所述側表面單元上。
6.根據權利要求1所述的模具,其特征在于,
所述基本單元在與所述第一表面相對的一側上具有第二表面,并且
選自所述第一電極和所述第二電極中的至少一個的至少一部分設置在所述第二表面的至少一部分上。
7.根據權利要求1所述的模具,其特征在于,選自所述第一電極和所述第二電極中的至少一個包括穿通部分,所述穿通部分沿著垂直于所述第一表面的方向穿透所述基體。
8.根據權利要求1所述的模具,其特征在于,還包括第三疊層體,
所述第一凸部還包括與所述第一表面相交并且與所述第一側表面相交的第一相交側表面,
第三疊層體設置在所述第一相交側表面上,
所述第三疊層體包括多個第三導電層和第三絕緣層,所述第三導電層沿著垂直于所述第一相交側表面的方向配置,所述第三絕緣層設置在所述第三導電層之間,
選自所述第一電極和所述第二電極中的至少一個被電連接到所述第三導電層的至少一個上。
9.根據權利要求1所述的模具,其特征在于,還包括:
頂部導電層;和
電連接到所述頂部導電層上的第三電極,
所述基體還包括設置在所述第一表面上的第三凸部,
所述頂部導電層設置在所述第三凸部上。
10.根據權利要求9所述的模具,其特征在于,所述頂部導電層沿著所述第一方向的長度比每個所述第一導電層沿著所述第一方向的長度長。
11.根據權利要求1所述的模具,其特征在于,
所述第一疊層體的硬度高于所述第一凸部的硬度和所述第二凸部的硬度,并且
所述第二疊層體的硬度高于所述第一凸部的硬度和所述第二凸部的硬度。
12.根據權利要求1所述的模具,其特征在于,
每個所述第一導電層沿著所述第一方向的長度不大于所述第一凸部沿著所述第一方向的長度,并且
所述第一絕緣層沿著所述第一方向的長度不大于所述第一凸部沿著所述第一方向的長度。
13.根據權利要求1所述的模具,其特征在于,
每個所述第一導電層的厚度不小于1納米并且不大于100納米,并且
所述第一絕緣層的厚度不小于1納米并且不大于100納米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





