[發明專利]透明導電膜的制造方法、透明導電膜的制造裝置、濺射靶及透明導電膜

在審

• 申請號: 201410341203.7
• 申請日: 2010-11-16
• 公開（公告）號: CN104213085A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 湯川富之;武井応樹;小林大士;赤松泰彥;清田淳也;增澤健二;石橋曉
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08;H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王艷波;張穎玲

本申請是2010年11月16日遞交的申請號為201080051495.0，發明名稱為“透明導電膜的制造方法、透明導電膜的制造裝置、濺射靶及透明導電膜”的分案申請。?

技術領域

本發明涉及一種蝕刻特性、導電特性等優越的透明導電膜的制造方法、透明導電膜的制造裝置、濺射靶及透明導電膜。?

背景技術

在平板顯示器或太陽能發電模塊的制造領域中，透明導電膜廣泛使用以氧化銦及氧化錫為主要成分的ITO(Indium?tin?oxide)膜。ITO膜由真空蒸發沉積法、濺射法等成膜，在濺射法中，大多情況使用由ITO構成的濺射靶。?

由于室溫下成膜的ITO膜是結晶質與非結晶質混在一起的狀態，因此難以得到期望的導電性。另一方面，由于200℃以上的溫度下成膜的ITO膜是結晶狀態，因此具有很高的導電特性。但是，結晶的ITO膜在草酸等弱酸中的溶解性低，需要使用鹽酸或硫酸等強酸作為蝕刻液。因此，很難在ITO膜與其底膜或其他配線層等之間確保高蝕刻選擇比。?

因此，一種通過在氬氣等濺射氣體中混合水蒸氣從而使非結晶的ITO膜成膜，然后通過對ITO膜退火使之結晶從而制作低電阻的ITO膜的方法被廣泛周知(參照專利文獻1)。根據這種方法，由于在成膜后的狀態下(沉積(as-deposition)狀態)下可進行弱酸蝕刻，因此可以得到良好的蝕刻特性。?

現有技術文獻?

專利文獻?

專利文獻1：日本特開2008-179850號公報(段落[0023]～[0026])?

發明內容

然而，專利文獻1中所述的ITO膜的成膜方法存在以下問題，即由于導入的水蒸氣的影響，使附著在防著板或靶的非腐蝕區域上的薄膜容易剝離，成為產生顆粒的原因。并且，由于水蒸氣的導入，有可能阻礙成膜室的穩定的排氣作用。?

鑒于以上情況，本發明的目的在于提供一種透明導電膜的制造方法，無需使用水蒸氣就可形成具有良好蝕刻特性及導電特性的透明導電膜。?

另外，本發明的另一目的在于提供一種透明導電膜的制造裝置及濺射靶，無需使用水蒸氣就可形成具有良好蝕刻特性及導電特性的透明導電膜。?

為了達到上述目的，本發明的實施方式涉及的透明導電膜的制造方法包括：在具有靶材的腔體內配置基板，所述靶材包含由氧化銦組成的第一組分，由氧化錫組成的第二組分，以及由選自鑭、釹、鏑、銪、釓、鋱、鋯、鋁、硅、鈦及硼的至少一種元素或其氧化物組成的第三組分；通過濺射所述靶材，從而在基板上形成銦錫氧化物薄膜。?

為了達到上述目的，本發明的實施方式涉及的透明導電膜的制造裝置包括：腔體、支撐部、成膜部。?

所述腔體構成為可保持真空狀態。?

所述支撐部用于在所述腔體內支撐基板。?

所述成膜部具有靶材，該靶材包含由氧化銦組成的第一組分，由氧化錫組成的第二組分，以及由選自鑭、釹、鏑、銪、釓、鋱、鋯、鋁、硅、鈦及硼的至少一種元素或其氧化物組成的第三組分。所述成膜部通過在所述腔體內濺射靶材，從而在由所述支撐部支撐的基板上形成銦錫氧化物薄膜。?

為了達到上述目的，本發明的實施方式涉及的濺射靶是用于在基板上經濺射法形成透明導電膜的濺射靶，包含第一組分、第二組分、第三組分。?

所述第一組分由氧化銦組成。?

所述第二組分由氧化錫組成。?

所述第三組分由選自鑭、釹、鏑、銪、釓、鋱、鋯、鋁、硅、鈦及硼的至少一種元素或其氧化物組成。?

為了達到上述目的，本發明的實施方式涉及的透明導電膜是在基板上經濺射法成膜的透明導電膜，包含第一組分、第二組分、第三組分。?

所述第一組分由氧化銦組成。?

所述第二組分由氧化錫組成。?

所述第三組分由選自鑭、釹、鏑、銪、釓、鋱、鋯、鋁、硅、鈦及硼的至少一種元素或其氧化物組成。?

附圖說明

圖1是表示本發明的實施方式涉及的透明導電膜的制造裝置的概略圖；?

圖2是對本發明的實施方式涉及的透明導電膜的制造方法進行說明的工序流程圖；?

圖3示出了本發明的實施例及比較例涉及的ITO膜的X射線衍射強度分布，(A)是關于成膜不久后的ITO膜的測定結果，(B)是關于退火后的ITO膜的測定結果；?

圖4示出了本發明的實施例及比較例涉及的ITO膜的電阻率與氧分壓之間的關系，(A)是關于成膜之后的ITO膜的測定結果，(B)是關于退火后的ITO膜的測定結果；?