[發(fā)明專利]透明導(dǎo)電膜的制造方法、透明導(dǎo)電膜的制造裝置、濺射靶及透明導(dǎo)電膜

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410341203.7
• 申請(qǐng)日: 2010-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN104213085A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 湯川富之;武井応樹;小林大士;赤松泰彥;清田淳也;增澤健二;石橋曉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社愛發(fā)科
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34;C23C14/08;H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 王艷波;張穎玲

1.一種透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于，包括：

在具有靶材的腔體內(nèi)配置基板，其中所述靶材包含由氧化銦組成的第一組分，由氧化錫組成的第二組分，以及由選自鑭、釹、鏑、銪、釓、鋱、鋯、鋁、硅、鈦及硼的至少一種元素或其氧化物組成的第三組分；

通過濺射所述靶材，從而在基板上形成銦錫氧化物薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于，

使用蝕刻液對(duì)所述銦錫氧化物薄膜進(jìn)行圖案化；

通過熱處理使所述銦錫氧化物薄膜結(jié)晶。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于，所述第三組分是鏑或其氧化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于，所述第三組分是硼或其氧化物。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于，所述靶材在氬氣與氧氣的混合氣體氣氛中濺射。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于，所述混合氣體氣氛中氧氣的分壓為2.0E-3Pa以上1.0E-2Pa以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于，所述銦錫氧化物薄膜的熱處理溫度為200℃以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導(dǎo)電膜的制造方法，其特征在于，所述蝕刻液是包含草酸的水溶液。

9.一種透明導(dǎo)電膜的制造裝置，其特征在于，包括：

腔體，可保持真空狀態(tài)；

支撐部，用于在所述腔體內(nèi)支撐基板；

成膜部，具有靶材并通過在所述腔體內(nèi)濺射所述靶材，從而在由所述支撐部支撐的基板上形成銦錫氧化物薄膜，其中所述靶材包含由氧化銦組成的第一組分，由氧化錫組成的第二組分，以及由選自鑭、釹、鏑、銪、釓、鋱、鋯、鋁、硅、鈦及硼的至少一種元素或其氧化物組成的第三組分。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的透明導(dǎo)電膜的制造裝置，其特征在于，所述成膜部還具有：

氣體導(dǎo)入系統(tǒng)，向所述腔體內(nèi)導(dǎo)入包含氧化性氣體的工藝氣體；

等離子產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，通過產(chǎn)生所述工藝氣體的等離子從而形成用于濺射所述靶材的離子。

11.一種用于在基板上經(jīng)濺射法形成透明導(dǎo)電膜的濺射靶，其特征在于，包括：

第一組分，由氧化銦組成；

第二組分，由氧化錫組成；

第三組分，由選自鑭、釹、鏑、銪、釓、鋱、鋯、鋁、硅、鈦及硼的至少一種元素或其氧化物組成。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濺射靶，其特征在于，

所述第三組分是選自鑭、釹、鏑、銪、釓、鋱、鋯、鋁、硅、鈦及硼的至少一種元素，所述第三組分的添加量(α)用以下公式表示：

0.1≤{α/(In+Sn+α)}≤10[原子％]。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濺射靶，其特征在于，

所述第三組分是選自鑭、釹、鏑、銪、釓、鋱、鋯、鋁、硅、鈦及硼的至少一種氧化物，所述第三組分的添加量(αO_x)用以下公式表示：

0.06≤{αO_x/(In₂O₃+SnO)+αO_x}≤6[原子％]。

14.一種在基板上經(jīng)濺射法成膜的透明導(dǎo)電膜，其特征在于，包括：

第一組分，由氧化銦組成；

第二組分，由氧化錫組成；

第三組分，由選自鑭、釹、鏑、銪、釓、鋱、鋯、鋁、硅、鈦及硼的至少一種元素或其氧化物組成。