[發明專利]一種掩模板在審
| 申請號: | 201410340364.4 | 申請日: | 2014-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN104142611A | 公開(公告)日: | 2014-11-12 |
| 發明(設計)人: | 張思凱 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/26 | 分類號: | G03F1/26 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模板 | ||
技術領域
本發明涉及到顯示裝置制造的技術領域,尤其涉及到一種掩模板。
背景技術
如圖1所示,目前掩模板主要是由石英玻璃1和一層有著特定圖形設計的鉻層2組成,假定鉻層2的圖形寬度為L2,鉻層2之間的間隙寬度為L1。曝光時,曝光燈光線先從掩模板無鉻的那一側進入,到達有鉻的那一側時,對應L2寬度的光線被鉻層2圖形擋住從而不能透過,其余光線從L1寬度的間隙中透過,到達涂有光刻膠的玻璃基板3后形成圖案。
由于L1狹縫對曝光光線的衍射作用,最終在玻璃基板3形成的圖案寬度要比L1大2L3。
以上可以看出,正常的掩模板的設計對于曝光燈能量的利用率為在L1減小,L2增大的情況下,光利用率會大幅下降。
發明內容
本發明提供了一種掩模板,用以提高光線的利用率。
本發明提供了一種掩模板,該掩模板包括:透明基板,多個間隔設置在所述透明基板一個表面上的遮光條,且所述透明基板上背離所述遮光條的一表面設置有與所述遮光條設置位置一一對應且將照射到遮光條上的光線折射到相鄰的遮光條之間間隙的透鏡結構。
在上述技術方案中,通過采用透鏡結構將原來照射到遮光條上的光線折射到遮光條之間的間隙上,使得更多的光線能夠照射到被曝光的基板上,參與曝光,從而提高了光線的利用率。
優選的,所述透明基板上背離所述遮光條的一表面上設置有與所述遮光條設置位置一一對應的凹槽,所述凹槽與所述透明基板形成所述透鏡結構。通過凹槽與透明基板形成的透鏡結構使光線發生折射。
優選的,所述凹槽為弧形凹槽,且所述弧形凹槽的長度方向與所述遮光條的長度方向相同。通過不同結構的凹槽形成入射面。
優選的,所述弧形凹槽的寬度不大于所述遮光條的寬度。從而使得形成的透鏡結構不影響原來照射到遮光條之間間隙的光線。
優選的,所述弧形凹槽的寬度等于所述遮光條的寬度。使得更多的照射到遮光條上的光線折射到遮光條之間的間隙。
優選的,所述弧形凹槽為圓弧形凹槽。采用圓弧面作為入射面。
優選的,所述圓弧形凹槽的圓弧角滿足以下關系:
其中,θ為圓弧角,θ1圓弧端部的入射光線的折射角,L3為遮光條與被曝光的基板上需要保留的金屬條的重疊寬度,d為透明基板與被曝光的基板之間的間距。使得被曝光的基板上形成的圖案與使用現有技術的遮光板形成的圖案相同。
優選的,所述凹槽為橫截面為V型凹槽,且所述凹槽的長度方向與所述遮光條的長度方向相同。采用V型凹槽的側壁作為入射面。
優選的,所述遮光條為鉻條。具有良好的遮光效果。
附圖說明
圖1為現有技術中的掩模板的使用狀態參考圖;
圖2為本發明實施例提供的掩模板的使用狀態參考圖;
圖3為本發明實施例提供的另一掩模板的使用狀態參考圖。
附圖標記:
1-石英玻璃??????2-鉻層????????3-玻璃基板
10-透明基板?????11-遮光條??????12-凹槽
121-弧形凹槽????122-V型凹槽????20-被曝光的基板
具體實施方式
為了提高曝光光線的利用率,本發明提供了一種掩模板,在本發明實施例的技術方案中,通過采用在透明基板上增設透鏡結構將原來照射到遮光條上的光線折射到遮光條之間的間隙上,從而使其能夠照射到被曝光的基板,提高了光線的利用率。為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚,以下以非限制性的實施例為例對本發明作進一步詳細說明。
如圖2所示,圖2示出了本發明實施例提供的掩模板的結構。
本發明實施例提供了一種掩模板,該掩模板包括:透明基板10,多個間隔設置在透明基板10一個表面上的遮光條11,且透明基板10上背離遮光條11的一表面設置有與遮光條11設置位置一一對應且將照射到遮光條11上的光線折射到相鄰的遮光條11之間間隙的透鏡結構。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





