[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410339866.5
• 申請日: 2014-07-16
• 公開（公告）號: CN105304629B
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐波;許靜;閆江;王紅麗;唐兆云;徐燁鋒;李春龍;陳邦明;楊萌萌
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8234
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 黨麗;逢京喜

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括第一器件區(qū)域和第二器件區(qū)域，其中，

第一器件區(qū)域包括：

襯底；

第一有源區(qū)堆疊，包括襯底上的第一半導(dǎo)體區(qū)和其上的第二半導(dǎo)體區(qū)，以及空腔，空腔位于第一半導(dǎo)體區(qū)的端部、第二半導(dǎo)體區(qū)與襯底之間；

第一器件，位于第二半導(dǎo)體區(qū)之上，且其源漏區(qū)位于空腔之上；

第二器件區(qū)域包括：

襯底；

第二有源區(qū)堆疊，包括襯底上的第三半導(dǎo)體區(qū)和其上的第四半導(dǎo)體區(qū)，以及絕緣層，絕緣層位于第三半導(dǎo)體區(qū)的端部、第四半導(dǎo)體區(qū)與襯底之間；

第二器件，位于第四半導(dǎo)體區(qū)之上，且其源漏區(qū)位于絕緣層之上；

第一半導(dǎo)體區(qū)包括襯底上的第二半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層上的第三半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體區(qū)為第四半導(dǎo)體層；第三半導(dǎo)體區(qū)為第二半導(dǎo)體層，第四半導(dǎo)體區(qū)為第四半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括第三器件區(qū)域，所述第三器件區(qū)域包括：

襯底；

第三器件，位于襯底之上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯底為體硅襯底，第二半導(dǎo)體層和第三半導(dǎo)體層為Ge_xSi_1-x，0<x<1，第四半導(dǎo)體層為硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，第一器件區(qū)域還包括氧化物層，形成于空腔的半導(dǎo)體材料的表面上。

5.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括步驟：

S01，提供襯底，所述襯底具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；

S02，在襯底的第一區(qū)域上形成第一半導(dǎo)體區(qū)和其上的第二半導(dǎo)體區(qū)，以及在襯底的第二區(qū)域上形成第三半導(dǎo)體區(qū)和其上的第四半導(dǎo)體區(qū)；

S03，分別在第一半導(dǎo)體區(qū)和第三半導(dǎo)體區(qū)的端部形成第一開口和第二開口；填滿第二開口，以形成絕緣層；

S04，分別在第二半導(dǎo)體區(qū)及第四半導(dǎo)體區(qū)上形成第一器件和第二器件；

步驟S02具體包括：

在第一區(qū)域和第二區(qū)域上外延生長第二半導(dǎo)體層；

在第一區(qū)域的第二半導(dǎo)體層上外延生長第三半導(dǎo)體層；

進(jìn)行外延生長，在第三半導(dǎo)體層和第二區(qū)域的第二半導(dǎo)體層上形成第四半導(dǎo)體層；

進(jìn)行刻蝕，在第一區(qū)域形成圖案化的包括第二半導(dǎo)體層和第三半導(dǎo)體層的第一半導(dǎo)體區(qū)和包括第四半導(dǎo)體層的第二半導(dǎo)體區(qū)，在第二區(qū)域形成圖案化的包括第二半導(dǎo)體層的第三半導(dǎo)體區(qū)和包括第四半導(dǎo)體層的第四半導(dǎo)體區(qū)，第四半導(dǎo)體層兩側(cè)的開口為隔離溝槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述襯底還具有第三區(qū)域；

在步驟S04，還包括：在第三區(qū)域的襯底上形成第三器件。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述襯底還具有第三區(qū)域；所述進(jìn)行外延生長的步驟還包括：在第三區(qū)域的襯底上形成第四半導(dǎo)體層；

所述進(jìn)行刻蝕的步驟還包括：在第三區(qū)域上形成圖案化的第四半導(dǎo)體層；

在步驟S04還包括：在第三區(qū)域的第四半導(dǎo)體層上形成第三器件。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，填滿第二開口的步驟具體包括：進(jìn)行氧化工藝，以使得第二開口中充滿第二開口表面的半導(dǎo)體材料的氧化物層，第一開口的表面上形成第一開口表面的半導(dǎo)體材料的氧化物層。