[發明專利]一種微晶鋁化物涂層制備方法

在審

• 申請號: 201410339307.4
• 申請日: 2014-07-16
• 公開（公告）號: CN105256272A
• 公開（公告）日: 2016-01-20
• 發明（設計）人: 沈明禮;朱圣龍;王福會
• 申請（專利權）人: 中國科學院金屬研究所
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/48
• 代理公司: 沈陽晨創科技專利代理有限責任公司 21001
• 代理人: 任玉龍

1.一種微晶鋁化物涂層制備方法，其特征在于：制備過程在真空中進行；采用真空陰極電弧蒸發方法產生高密度等離子體；在工件上施加高頻脈沖負偏壓，使等離子體中金屬離子注入到工件表層內部，并形成亞微米級晶粒的鋁化物涂層。

2.按照權利要求1所述的微晶鋁化物涂層制備方法，其特征在于：所述的真空陰極電弧蒸發方法，使用純鋁或鋁合金靶材，弧電流40～50A；所述鋁合金中合金組元包括但不限于Si、Hf、Cr、Y、原子序數為57到71的15種鑭系元素之一，或上述元素的組合，合金組元總含量為10ppm至15％，此值為原子比。

3.按照權利要求1所述的微晶鋁化物涂層制備方法，其特征在于：所述的高頻脈沖負偏壓方法，偏壓為-400～-1000V，占空比20～60％，頻率5～100kHz。

4.按照權利要求1所述的微晶鋁化物涂層制備方法，其特征在于：所述的真空，通氬氣前背底真空度最優達到0.05Pa或更低，至少應達到5Pa，通氬氣后真空度為6-40Pa。

5.按照權利要求1所述的微晶鋁化物涂層制備方法，其特征在于：所述的微晶鋁化物涂層的制備工藝過程，安裝工件和靶材，真空室抽真空，通入氬氣，在工件上施加高頻脈沖負偏壓，引燃真空陰極電弧，涂層達到所要求厚度后，關閉鋁化物涂層制備系統，取出工件。