[發(fā)明專利]用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410338417.9
• 申請(qǐng)日: 2014-07-16
• 公開（公告）號(hào): CN105321799B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉恩銓;郭騰欽;白源吉;尤春祺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法，包括：提供具有電路布局、第一光掩模圖與第二光掩模圖的第一基板，其中第一光掩模圖與第二光掩模圖依序疊置于電路布局上，且第一光掩模圖與第二光掩模圖分別相對(duì)于電路布局具有不相等的x軸向可容許偏差范圍與y軸向可容許偏差范圍；獲取第一光掩模圖相對(duì)于第二光掩模圖的座標(biāo)偏移量；以及計(jì)算座標(biāo)偏移量相對(duì)上述x軸向可容許偏差范圍與上述y軸向可容許偏差范圍的偏移差值，并將第一倍數(shù)的上述座標(biāo)偏移量與第二倍數(shù)的上述偏移差值進(jìn)行加總，以獲得x軸向補(bǔ)償參數(shù)與y軸向補(bǔ)償參數(shù)作為最終補(bǔ)償參數(shù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種補(bǔ)償方法，且特別是涉及一種用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法。

背景技術(shù)

光刻疊對(duì)制作工藝是指半導(dǎo)體制作工藝中層對(duì)層之間的疊對(duì)制作工藝。依據(jù)電路線寬等特性，在芯片制造過程或制作工藝整合過程中，將龐雜的電路走線區(qū)分為不同光掩模層后進(jìn)行曝光顯影并疊置形成于芯片上。然而步進(jìn)機(jī)臺(tái)、晶片本身以及制作工藝環(huán)境都會(huì)造成層間光掩模圖案疊合時(shí)產(chǎn)生位移和誤差，這稱為疊對(duì)誤差。并且，隨著關(guān)鍵尺寸不斷縮小、晶片尺寸變大以及光掩模數(shù)目的增加，光刻疊對(duì)誤差容忍度也越來越嚴(yán)苛。當(dāng)光刻制作工藝的疊對(duì)誤差超過誤差容忍度時(shí)，則層間設(shè)計(jì)電路可能因?yàn)槲灰瓢l(fā)生斷路或是短路而無法通過電性測(cè)試而報(bào)廢，進(jìn)而影響產(chǎn)品良率。

對(duì)于傳統(tǒng)光刻疊對(duì)(overlay)制作工藝而言，一般只提供對(duì)稱的補(bǔ)償方式來調(diào)整參數(shù)進(jìn)而降低疊對(duì)誤差。然而半導(dǎo)體制作工藝中，芯片上所具有的龐雜電路走線區(qū)大多包含有長(zhǎng)寬相等的對(duì)稱電路區(qū)域與長(zhǎng)寬不等的不對(duì)稱電路區(qū)域。傳統(tǒng)的對(duì)稱補(bǔ)償方式為針對(duì)x軸偏移量(offset)與y軸偏移量進(jìn)行相同參數(shù)的補(bǔ)償，此種補(bǔ)償方式僅適用于對(duì)長(zhǎng)寬相等的對(duì)稱電路區(qū)域進(jìn)行光刻疊對(duì)的制作工藝中。但傳統(tǒng)的對(duì)稱補(bǔ)償方式并無法滿足長(zhǎng)寬不等的不對(duì)稱電路區(qū)域?qū)τ谘a(bǔ)償后的精確度的要求。換句話說，對(duì)于具有長(zhǎng)寬不等的不對(duì)稱電路區(qū)域的芯片而言，對(duì)x軸偏移量與y軸偏移量進(jìn)行相同參數(shù)的補(bǔ)償方式并無法降低疊對(duì)誤差。

有鑒于此，仍有必要提出一種新的補(bǔ)償方式，以降低具有非對(duì)稱電路區(qū)域的芯片于光刻疊對(duì)制作工藝之后的疊對(duì)誤差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提出一種用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法，以提升元件于光刻疊對(duì)制作工藝后的良率。

為達(dá)上述優(yōu)點(diǎn)或其他優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明提出一種用于光刻疊對(duì)制作工藝的非對(duì)稱補(bǔ)償方法，包括：提供第一基板，上述第一基板具有電路布局、第一光掩模圖與第二光掩模圖，其中第一光掩模圖與第二光掩模圖依序疊置于電路布局上，且第一光掩模圖與第二光掩模圖相對(duì)于電路布局具有x軸向可容許偏差范圍與y軸向可容許偏差范圍，其中x軸向可容許偏差范圍不等于y軸向可容許偏差范圍；獲取第一光掩模圖相對(duì)于第二光掩模圖的座標(biāo)偏移量；以及計(jì)算座標(biāo)偏移量相對(duì)上述x軸向可容許偏差范圍與上述y軸向可容許偏差范圍的偏移差值，并將第一倍數(shù)的上述座標(biāo)偏移量與第二倍數(shù)的上述偏移差值進(jìn)行加總，以獲得x軸向補(bǔ)償參數(shù)與y軸向補(bǔ)償參數(shù)作為最終補(bǔ)償參數(shù)。