[發明專利]用于光刻疊對制作工藝的非對稱補償方法

有效

• 申請號: 201410338417.9
• 申請日: 2014-07-16
• 公開（公告）號: CN105321799B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 劉恩銓;郭騰欽;白源吉;尤春祺
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種用于光刻疊對制作工藝的非對稱補償方法，包括：

提供一第一基板，該第一基板具有一電路布局、一第一光掩模圖與一第二光掩模圖，其中該第一光掩模圖與該第二光掩模圖依序疊置于該電路布局上，該第一光掩模圖與該第二光掩模圖相對于該電路布局具有一x軸向可容許偏差范圍與一y軸向可容許偏差范圍，該x軸向可容許偏差范圍不等于該y軸向可容許偏差范圍；

獲取該第一光掩模圖相對于該第二光掩模圖的一座標偏移量；以及

計算該座標偏移量相對該x軸向可容許偏差范圍與該y軸向可容許偏差范圍的一偏移差值，并將一第一倍數的該座標偏移量與一第二倍數的該偏移差值進行加總，以獲得一x軸向補償參數與一y軸向補償參數作為一最終補償參數。

2.如權利要求1所述的用于光刻疊對制作工藝的非對稱補償方法，其中該座標偏移量包括第一x軸向偏移量與第一y軸向偏移量，該偏移差值包括第二x軸向偏移量與第二y軸向偏移量。

3.如權利要求2所述的用于光刻疊對制作工藝的非對稱補償方法，其中在計算該偏移差值之前，還包括比對該座標偏移量是否分別落入該x軸向可容許偏差范圍內與該y軸向可容許偏差范圍內，其中若該第一x軸向偏移量落入該x軸向可容許偏差范圍內，則該第二x軸向偏移量為零；若該第一y軸向偏移量落入該y軸向可容許偏差范圍內，則該第二y軸向偏移量為零。

4.如權利要求1所述的用于光刻疊對制作工藝的非對稱補償方法，其中該第一倍數大于零，且該第二倍數大于0且小于1。

5.如權利要求1所述的用于光刻疊對制作工藝的非對稱補償方法，其中該第一倍數等于1。

6.如權利要求1所述的用于光刻疊對制作工藝的非對稱補償方法，其中該最終補償參數適于補償在移除該第一光掩模圖與該第二光掩模圖后的該第一基板的一重新光刻疊對制作工藝中，其中該重新光刻疊對制作工藝包括分別利用一第一光掩模、一第二光掩模與該最終補償參數對該第一基板進行該重新光刻疊對制作工藝。

7.如權利要求1所述的用于光刻疊對制作工藝的非對稱補償方法，其中該最終補償參數適于補償在對一第二基板的一光刻疊對制作工藝中，其中該光刻疊對制作工藝包括分別利用一第一光掩模、一第二光掩模與該最終補償參數對該第二基板進行該光刻疊對制作工藝。

8.一種用于光刻疊對制作工藝的非對稱補償方法，包括：

提供一第一基板，該第一基板具有電路布局、第一光掩模圖與第二光掩模圖，其中該第一光掩模圖與該第二光掩模圖依序疊置于該電路布局上，該第一光掩模圖與該第二光掩模圖分別相對于該電路布局具有一x軸向可容許偏差范圍與一y軸向可容許偏差范圍，該x軸向可容許偏差范圍不等于該y軸向可容許偏差范圍；

獲取該第一光掩模圖相對于該第二光掩模圖的一第一x軸向偏移量與一第一y軸向偏移量；

比對該第一x軸向偏移量與該第一y軸向偏移量是否分別落入該x軸向可容許偏差范圍內與該y軸向可容許偏差范圍內；

計算該第一x軸向偏移量與該第一y軸向偏移量相對于該x軸向可容許偏差范圍與該y軸向可容許偏差范圍的一偏移差值，以獲得一第二x軸向偏移量與一第二y軸向偏移量；以及

以一第一倍數的該第一x軸向偏移量與一第二倍數的該第二x軸向偏移量的總合，與該第一倍數的該第一y軸向偏移量與該第二倍數的該第二y軸向偏移量的總合，作為x軸向與y軸向的一最終補償參數，其中若該第一x軸向偏移量落入該x軸向可容許偏差范圍內，則該第二x軸向偏移量為零；若該第一y軸向偏移量落入該y軸向可容許偏差范圍內，則該第二y軸向偏移量為零。

9.如權利要求8所述的用于光刻疊對制作工藝的非對稱補償方法，其中該第一倍數大于零，且該第二倍數大于0且小于1。

10.如權利要求8所述的用于光刻疊對制作工藝的非對稱補償方法，其中該第一倍數等于1。