[發(fā)明專利]具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410337839.4
• 申請日: 2014-07-16
• 公開（公告）號: CN104637674B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅智星;趙范俊;崔重購;樸胤輝;吳光宰;秋昊成;申知桓
• 申請（專利權(quán)）人: 塞姆西恩有限公司
• 主分類號: H01G4/008
• 分類號: H01G4/008;H01G4/232;H01G2/06
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;張英

本發(fā)明涉及具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板能夠通過控制包括在基板中的各種金屬的組成比率來防止在低溫?zé)浦箅姌O的擴(kuò)散、剝落或損失，從而導(dǎo)致陶瓷基板和電容器之間良好的附著。

相關(guān)申請的引用

本申請要求于2013年11月7日提交的標(biāo)題為“具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板”的韓國專利申請?zhí)?0-2013-0135056的權(quán)益，通過引用將其全部內(nèi)容結(jié)合于本申請中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，并且更具體地涉及包括含有Ag或Ag合金的電極的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板。

背景技術(shù)

響應(yīng)于針對具有高頻率和小尺寸的電子裝置的需求，通過在印刷電路板中嵌入而不是在表面上安裝表面安裝芯片式組件可以減少整個產(chǎn)品的體積并且增加集成度的技術(shù)備受關(guān)注。

當(dāng)通過分層形成(例如，電容器)通過將安裝在基板上的芯片式組件嵌入基板而將其替換時，可以減小整個產(chǎn)品的體積。此外，與芯片式電容器相比，分層式電容器具有更好的RF特性(較小的寄生電感)。因此，正在開展關(guān)于將芯片嵌入基板的大量研發(fā)。

相關(guān)技術(shù)是KR公開號2002-0042698。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供包括含有Ag或Ag合金的電極的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，多個生片層層壓形成陶瓷元件；第一電極印刷在層壓的多個陶瓷生片中；并且在基板中形成空腔，基板包括：多層陶瓷電容器，設(shè)置成與空腔內(nèi)部的陶瓷生片間隔開并且包括第二電極，第二電極電連接至第一電極，其中，第一電極包括95-100wt％的Ag，并且其中，第二電極包括65-90wt％的Ag和具有比Ag更高熔點的金屬。

在本發(fā)明的實施方式中，第一電極可以進(jìn)一步包括選自Au、Cu、Pd、W及它們的合金的至少一種。

在本發(fā)明的實施方式中，第一電極可以包括通過陶瓷生片的通孔電極，和與第二電極電連接的連接電極。

在本發(fā)明的實施方式中，第一電極可進(jìn)一步包括在通孔電極和連接電極之間的襯墊電極。

在本發(fā)明的實施方式中，第二電極可以包括65-90wt％的Ag；并且包括選自Au、Cu、Pd、W及它們的合金的至少一種金屬。

在本發(fā)明的實施方式中，可以增加70-90wt％的Ag。

在本發(fā)明的實施方式中，第一電極可進(jìn)一步包括0.5-5wt％的基于CaO-BaO-SiO₂-B₂O₃的玻璃。

在本發(fā)明的實施方式中，玻璃的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度可以是600至850℃。

在本發(fā)明的實施方式中，玻璃的組成配方可以是20CaO-25BaO-50SiO₂-5B₂O₃或20CaO-20BaO-55SiO₂-5B₂O₃。

在本發(fā)明的實施方式中，具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板的燒制溫度可以是800至950℃。

根據(jù)本發(fā)明的實施方式，具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板能夠通過控制包括在基板中的各種金屬的組成比率來防止在低溫?zé)浦箅姌O的擴(kuò)散、剝落或損失，從而導(dǎo)致陶瓷基板和電容器之間良好的附著。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板的截面圖。