[發明專利]具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板有效
| 申請號： | 201410337839.4 | 申請日： | 2014-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN104637674B | 公開（公告）日： | 2018-09-25 |
| 發明（設計）人： | 羅智星;趙范俊;崔重購;樸胤輝;吳光宰;秋昊成;申知桓 | 申請（專利權）人： | 塞姆西恩有限公司 |
| 主分類號： | H01G4/008 | 分類號： | H01G4/008;H01G4/232;H01G2/06 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 余剛;張英 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 嵌入式 電容器 低溫 共同 燒制 陶瓷 | ||
1.一種具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，多個生片層層壓形成陶瓷元件；第一電極印刷在層壓的多個陶瓷生片中；并且在所述基板中形成空腔，所述基板包括：
多層陶瓷電容器，設置為與所述空腔內部的所述陶瓷生片間隔開并且包括第二電極，所述第二電極電連接至所述第一電極，
其中，所述第一電極包括95-100wt％的Ag，以及
其中，所述第二電極包括65-90wt％的Ag和具有比Ag更高熔點的金屬。
2.根據權利要求1所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述所述第一電極進一步包括選自由Au、Cu、Pd、W及它們的合金組成的組中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述第一電極包括通過所述陶瓷生片的通孔電極和與所述第二電極電連接的連接電極。
4.根據權利要求3所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述第一電極進一步包括在所述通孔電極和所述連接電極之間的襯墊電極。
5.根據權利要求1所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述第二電極包括65-90wt％的Ag；并且包括選自由Au、Cu、Pd、W及它們的合金組成的組中的至少一種金屬。
6.根據權利要求5所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述第二電極包括70-90wt％的Ag。
7.根據權利要求1所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述第一電極進一步包括0.5-5wt％的基于CaO-BaO-SiO2-B2O3的玻璃。
8.根據權利要求7所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述玻璃的玻璃化轉變溫度是600至850℃。
9.根據權利要求8所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述玻璃的組分配方是20mol％CaO-25mol％BaO-50mol％SiO2-5mol％B2O3或20mol％CaO-20mol％BaO-55mol％SiO2-5mol％B2O3。
10.根據權利要求1所述的具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板，其中，所述具有嵌入式電容器的低溫共同燒制的陶瓷基板的燒制溫度是800至950℃。
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