[發明專利]一種12位中等速率逐次逼近型模數轉換器

有效

• 申請號: 201410337724.5
• 申請日: 2014-07-16
• 公開（公告）號: CN104113341B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 魏天堯;朱樟明;丁瑞雪;楊銀堂
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H03M1/38
• 分類號: H03M1/38
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,黃燦

1.一種12位中等速率逐次逼近型模數轉換器，其特征在于，包括：

采樣網絡、與所述采樣網絡連接的差分電容陣列、與所述差分電容陣列連接的比較器電路；其中

所述差分電容陣列包括連接所述比較器電路正相輸入端的第一電容陣列和連接所述比較器電路反相輸入端第二電容陣列；其中

所述第一電容陣列和所述第二電容陣列均由11組二進制結構的位電容組成，所述第二電容陣列的第一冗余電容(C₀’)的下極板恒接一共模電壓(V_CM)；其中，

所述第一電容陣列的電容上極板耦合在一起連接到所述比較器電路的正相輸入端，并通過所述采樣網絡的第一自舉開關(K₁)連接正相差分模擬輸入信號(V_IP)；所述第一電容陣列的電容下極板分別通過開關選擇連接共模電壓(V_CM)、基準電壓(V_REF)、地(Gnd)；

所述第二電容陣列的電容上極板耦合在一起連接到所述比較器電路的反相輸入端，并通過所述采樣網絡的第二自舉開關(K₂)連接反相差分模擬輸入信號(V_IN)；

所述第二電容陣列的第一冗余電容(C₀’)的下極板恒接共模電壓(V_CM)，其他冗余電容下極板分別通過開關選擇連接共模電壓(V_CM)、基準電壓(V_REF)、地(Gnd)。

2.根據權利要求1所述的12位中等速率逐次逼近型模數轉換器，其特征在于，還包括：與所述比較器電路連接的逐次逼近控制邏輯電路，其中

所述逐次逼近控制邏輯電路的子單元包括第十五MOS管(M₁₅)、第十六MOS管(M₁₆)、第十七MOS管(M₁₇)、第十八MOS管(M₁₈)、第十九MOS管(M₁₉)、第二十MOS管(M₂₀)和觸發器；

所述觸發器的第一輸入端接所述比較器電路的輸出端，所述觸發器的第二輸入端接第二時鐘信號(Clk_i)，所述觸發器的第三輸入端接采樣信號(Sample)的反相采樣信號(Sample_b)；

所述第十五MOS管(M₁₅)的柵極接所述第二時鐘信號(Clk_i)的反相時鐘信號(Clk_i_b)，所述第十五MOS管(M₁₅)的源極接基準電壓(V_REF)，所述第十五MOS管(M₁₅)的漏極接所述第十六MOS管(M₁₆)的源極；

所述第十六MOS管(M₁₆)的柵極接所述觸發器的輸出端，所述第十六MOS管(M₁₆)的漏極接所述第十七MOS管(M₁₇)的漏極和所述第十九MOS管(M₁₉)的源極；

所述第十七MOS管(M₁₇)的柵極接所述觸發器的輸出端，所述第十七MOS管(M₁₇)的源極接所述第十八MOS管(M₁₈)的漏極；

所述第十八MOS管(M₁₈)的柵極接所述第二時鐘信號(Clk_i)，所述第十八MOS管(M₁₈)的源極接地(Gnd)；

所述第十九MOS管(M₁₉)的柵極接所述第二時鐘信號(Clk_i)的反相時鐘信號(Clk_i_b)，所述第十九MOS管(M₁₉)的源極接所述第二十MOS管(M₂₀)的漏極，所述第十九MOS管(M₁₉)的漏極接共模電壓(V_CM)；

所述第二十MOS管(M₂₀)的源極接共模電壓(V_CM)，所述第二十MOS管(M₂₀)的柵極接所述第二時鐘信號(Clk_i)，所述第二十MOS管(M₂₀)的漏極接所述差分電容陣列的電容的下極板。