[發明專利]氣相沉積設備

有效

• 申請號: 201410336100.1
• 申請日: 2014-07-15
• 公開（公告）號: CN104561935B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 李成用;奇圣勛;金仁教;張喆旼;許明洙
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/517;H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;譚昌馳

1.一種氣相沉積設備，所述氣相沉積設備包括：

基底安裝單元，基底安裝在基底安裝單元上；

多個第一噴嘴單元，沿著基底安裝單元的方向注入第一原材料；

多個第二噴嘴單元，與所述多個第一噴嘴單元交替地設置，沿著基底安裝單元的所述方向注入第二原材料；

排氣單元和吹掃單元，位于所述多個第一噴嘴單元中的一個第一噴嘴單元和所述多個第二噴嘴單元中的一個第二噴嘴單元之間，并且沿著基底安裝單元的移動方向與第一噴嘴單元相鄰；

等離子體模塊單元，向所述多個第二噴嘴單元提供第二原材料；

限定多個狹縫的第一下部板，可分離地結合到所述多個第一噴嘴單元的下端，

其中，

所述多個第一噴嘴單元中的每個第一噴嘴單元均沿著基底安裝單元的所述方向選擇性地注入第一原材料和吹掃氣體，

第二原材料是自由基，以及

基底安裝單元包括靜電發生部件。

2.根據權利要求1所述的氣相沉積設備，其中，所述靜電發生部件包括被施加直流電壓的電極。

3.根據權利要求1所述的氣相沉積設備，所述氣相沉積設備還包括選擇性地提供第一原材料和吹掃氣體的開關單元，

其中，第一噴嘴單元均連接到開關單元。

4.根據權利要求3所述的氣相沉積設備，其中，所述開關單元包括：

流入通道，連接到所述多個第一噴嘴單元；

第一原材料通道和吹掃氣體通道，均連接到流入通道；以及

設置在第一原材料通道中的第一閥和設置在吹掃氣體通道中的第二閥。

5.根據權利要求3所述的氣相沉積設備，所述氣相沉積設備還包括：

感測單元，感測基底安裝單元的位置；以及

控制單元，接收與基底安裝單元的位置對應的位置信息。

6.根據權利要求5所述的氣相沉積設備，其中，控制單元根據所述位置信息控制開關單元的操作。

7.根據權利要求6所述的氣相沉積設備，其中，當基底安裝單元設置在所述多個第一噴嘴單元的下方時，第一噴嘴單元均注入第一原材料。

8.根據權利要求1所述的氣相沉積設備，其中，等離子體模塊單元包括：

等離子體發生器；

對應的表面，圍繞所述等離子體發生器；以及

等離子體發生空間，限定在等離子體發生器和所述對應的表面之間。

9.根據權利要求8所述的氣相沉積設備，所述氣相沉積設備還包括處于等離子體模塊單元和所述多個第二噴嘴單元之間的擴散單元。

10.根據權利要求1所述的氣相沉積設備，所述氣相沉積設備還包括多個第二下部板以及限定在每個第二下部板中的多個狹縫，

其中，所述多個第二下部板分別結合到第二噴嘴單元和吹掃單元的下端。