[發(fā)明專利]氣相沉積設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410336100.1
• 申請(qǐng)日: 2014-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN104561935B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李成用;奇圣勛;金仁教;張喆旼;許明洙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455;C23C16/517;H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;譚昌馳

公開了一種氣相沉積設(shè)備，所述氣相沉積設(shè)備包括：基底安裝單元，基底安裝在基底安裝單元上；多個(gè)第一噴嘴單元，沿著基底安裝單元的方向注入第一原材料；多個(gè)第二噴嘴單元，與所述多個(gè)第一噴嘴單元交替地設(shè)置，沿著基底安裝單元的所述方向注入第二原材料；等離子體模塊單元，向所述多個(gè)第二噴嘴單元提供第二原材料。第二原材料是自由基，并且基底安裝單元包括靜電發(fā)生部件。

本申請(qǐng)要求于2013年10月10日提交的第10-2013-0120873號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和所有權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的內(nèi)容通過(guò)引用被全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種氣相沉積設(shè)備。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置、顯示裝置和其它電子裝置中的每種裝置包括多個(gè)薄膜。所述多個(gè)薄膜可以通過(guò)各種方法形成。在這些方法中，氣相沉積方法可以是所述各種方法中的一種。

氣相沉積方法使用氣體作為形成薄膜的原材料。氣相沉積方法的示例包括化學(xué)氣相沉積(CVD)方法、原子層沉積(ALD)方法以及其它各種方法。

在氣相沉積方法中，在ALD方法中，將一種原材料注入到容器中，然后吹掃并抽出，以使單分子(例如，原子)層或多層中的一層吸附在基底上。然后，將另一種原材料注入到容器中，然后吹掃并抽出，從而最終形成期望的單原子層或多原子層。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置與其它顯示裝置相比具有較寬的視角、較好的對(duì)比特性和較快的響應(yīng)速度，因此作為下一代顯示裝置已經(jīng)受到關(guān)注。此類有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括中間層和一個(gè)或更多個(gè)各種薄膜，其中，中間層包括處于彼此相對(duì)的第一電極和第二電極之間的有機(jī)發(fā)射層。這里，可以執(zhí)行沉積工藝以形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的薄膜。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例包括一種具有改善的沉積效率的氣相沉積設(shè)備。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，一種氣相沉積設(shè)備包括：基底安裝單元，基底安裝在基底安裝單元上；多個(gè)第一噴嘴單元，沿著基底安裝單元的方向注入第一原材料；多個(gè)第二噴嘴單元，與所述多個(gè)第一噴嘴單元交替地設(shè)置，沿著基底安裝單元的所述方向注入第二原材料；等離子體模塊單元，向多個(gè)第二噴嘴單元提供第二原材料。第二原材料是自由基，基底安裝單元包括靜電發(fā)生部件。

所述靜電發(fā)生部件可以包括被施加直流(DC)電壓的電極。

第一噴嘴單元均可以沿著基底安裝單元的所述方向選擇性地注入第一原材料和吹掃氣體。

所述氣相沉積設(shè)備還可以包括選擇性地提供第一原材料和吹掃氣體的開關(guān)單元，第一噴嘴單元均可以連接到開關(guān)單元。

所述開關(guān)單元可以包括：流入通道，連接到所述多個(gè)第一噴嘴單元；第一原材料通道和吹掃氣體通道，均連接到流入通道；設(shè)置在第一原材料通道中的第一閥和設(shè)置在吹掃氣體通道中的第二閥。

所述氣相沉積設(shè)備還可以包括：感測(cè)單元，感測(cè)基底安裝單元的位置；以及控制單元，接收與基底安裝單元的位置對(duì)應(yīng)的位置信息。

所述控制單元可以根據(jù)所述位置信息控制所述開關(guān)單元的操作。

當(dāng)基底安裝單元設(shè)置在所述多個(gè)第一噴嘴單元的下方時(shí)，第一噴嘴單元均可以注入第一原材料。

等離子體模塊單元可以包括：等離子體發(fā)生器；對(duì)應(yīng)的表面，圍繞所述等離子體發(fā)生器；以及等離子體發(fā)生空間，限定在等離子體發(fā)生器和所述對(duì)應(yīng)的表面之間。

所述氣相沉積設(shè)備還可以包括在等離子體模塊單元和所述多個(gè)第二噴嘴單元之間的擴(kuò)散單元。

所述氣相沉積設(shè)備還可以包括位于所述多個(gè)第一噴嘴單元中的第一噴嘴單元和所述多個(gè)第二噴嘴單元中的第二噴嘴單元之間并且沿著基底安裝單元的移動(dòng)方向與第一噴嘴單元相鄰的排氣單元和吹掃單元。