[發明專利]半導體發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410335371.5
• 申請日: 2014-07-15
• 公開（公告）號: CN104576841B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 曾嘉裕;劉宇軒
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/10;H01L33/40
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙)32235
• 代理人: 楊林潔

技術領域

本發明涉及發光元件及其制造方法領域，尤其涉及一種半導體發光元件及其制造方法。

背景技術

半導體發光元件的發光原理是利用半導體特有的性質，不同于一般日光燈或白熾燈發熱的發光原理，因此半導體發光元件具有壽命長、耗電量低等優點。此外，半導體發光元件可不含水銀等有害物質，而更具有環保的優勢。

半導體發光元件包括發光半導體結構以及配置于發光半導體結構上的電極圖案。一般而言，電極圖案為遮光的金屬電極。然而，當發光半導體結構發出的光束向外界傳遞時，部分光束會被金屬電極吸收，而影響發光半導體結構的外部取光效率。因此，如何減少光束被金屬電極吸收的機率，以提升發光半導體結構的外部取光效率，實為重要的課題之一。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體發光元件，其外部取光效率高。

本發明的另一目的在于提供一種半導體發光元件，其外部取光效率也高。

本發明的又一目的在于提供一種半導體發光元件的制作方法，其制作出的半導體發光元件的外部取光效率高。

為了實現上述目的，本發明的一種半導體發光元件，包括：

發光半導體結構，所述發光半導體結構包括：

第一半導體層；

第二半導體層，相對于所述第一半導體層；以及

發光層，位于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間；

透明介電圖案，位于所述發光半導體結構的至少一部分的上方；以及

電極圖案，位于所述透明介電圖案上方，其中所述透明介電圖案以及所述發光半導體結構之間具有至少一個空穴，且所述空穴與所述電極圖案相對，所述空穴具有開口，而所述開口的開口方向與垂直于所述發光層的方向交錯。

作為本發明上述半導體發光元件的進一步改進，所述空穴的邊墻包括所述透明介電圖案所形成的頂蓋部與側壁部，且所述側壁部位于所述頂蓋部與所述發光半導體結構之間并暴露部分的所述頂蓋部。

作為本發明上述半導體發光元件的進一步改進，所述空穴的橫向剖面寬度不小于所述電極圖案對應的橫向剖面寬度。

作為本發明上述半導體發光元件的進一步改進，所述空穴為二個以上，并至少一部分為等距間隔排列或非等距排列。

作為本發明上述半導體發光元件的進一步改進，所述半導體發光元件還包括：透明導電層，設置于所述透明介電圖案與所述電極圖案之間，其中所述透明導電層覆蓋所述透明介電圖案、所述空穴以及至少部分的所述發光半導體結構。

為了實現上述目的，本發明的一種半導體發光元件，包括：

發光半導體結構，所述發光半導體結構包括：

第一半導體層；

第二半導體層，相對于所述第一半導體層；以及

發光層，位于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間；

第一透明介電圖案，配置于所述第一半導體層上方；

第二透明介電圖案，配置于所述第二半導體層上方；

第一電極，配置于所述第一透明介電圖案上方；以及

第二電極，配置于所述第二透明介電圖案上方且與所述第一電極分離，其中所述第一透明介電圖案與所述第二透明介電圖案至少其中之一與所述發光半導體結構間具有至少一個空穴，且所述至少一個空穴與所述第一電極、所述第二電極至少其中之一相對，所述至少一個空穴為至少一個第一空穴，所述第一透明介電圖案與所述第一半導體層間具有所述至少一個第一空穴，且所述至少一個第一空穴的開口方向與所述第一電極的延伸方向垂直。

作為本發明上述半導體發光元件的進一步改進，所述半導體發光元件還包括：透明導電層，設置于所述第一透明介電圖案與所述第一電極之間，且覆蓋所述第一透明介電圖案以及至少部分的所述第一半導體層。

作為本發明上述半導體發光元件的進一步改進，所述至少一個空穴為多個空穴，這些空穴還包括至少一個第二空穴，所述第二透明介電圖案與所述第二半導體層間具有所述至少一個第二空穴。

作為本發明上述半導體發光元件的進一步改進，所述至少一個空穴還包括至少一個第二空穴，所述第二透明介電圖案與所述第二半導體層間具有所述至少一個第二空穴，且所述至少一個第二空穴的開口方向與所述第二電極的延伸方向平行。

為了實現上述目的，本發明的一種半導體發光元件，包括：

發光半導體結構，所述發光半導體結構包括：

第一半導體層；

第二半導體層，相對于所述第一半導體層；以及