[發明專利]半導體發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410335371.5
• 申請日: 2014-07-15
• 公開（公告）號: CN104576841B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 曾嘉裕;劉宇軒
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/10;H01L33/40
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙)32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種半導體發光元件，其特征在于，包括：

發光半導體結構，所述發光半導體結構包括：

第一半導體層；

第二半導體層，相對于所述第一半導體層；以及

發光層，位于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間；

透明介電圖案，位于所述發光半導體結構的至少一部分的上方；以及

電極圖案，位于所述透明介電圖案上方，其中所述透明介電圖案以及所述發光半導體結構之間具有至少一個空穴，且所述空穴與所述電極圖案相對，所述空穴具有開口，而所述開口的開口方向與垂直于所述發光層的方向交錯。

2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述空穴的邊墻包括所述透明介電圖案所形成的頂蓋部與側壁部，且所述側壁部位于所述頂蓋部與所述發光半導體結構之間并暴露部分的所述頂蓋部。

3.根據權利要求1或2所述的半導體發光元件，其特征在于，所述空穴的橫向剖面寬度不小于所述電極圖案對應的橫向剖面寬度。

4.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述空穴為二個以上，并至少一部分為等距間隔排列或非等距排列。

5.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述半導體發光元件還包括：透明導電層，設置于所述透明介電圖案與所述電極圖案之間，其中所述透明導電層覆蓋所述透明介電圖案、所述空穴以及至少部分的所述發光半導體結構。

6.一種半導體發光元件，其特征在于，包括：

發光半導體結構，所述發光半導體結構包括：

第一半導體層；

第二半導體層，相對于所述第一半導體層；以及

發光層，位于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間；

第一透明介電圖案，配置于所述第一半導體層上方；

第二透明介電圖案，配置于所述第二半導體層上方；

第一電極，配置于所述第一透明介電圖案上方；以及

第二電極，配置于所述第二透明介電圖案上方且與所述第一電極分離，其中所述第一透明介電圖案與所述第二透明介電圖案至少其中之一與所述發光半導體結構間具有至少一個空穴，且所述至少一個空穴與所述第一電極、所述第二電極至少其中之一相對，所述至少一個空穴為至少一個第一空穴，所述第一透明介電圖案與所述第一半導體層間具有所述至少一個第一空穴，且所述至少一個第一空穴的開口方向與所述第一電極的延伸方向垂直。

7.根據權利要求6所述的半導體發光元件，其特征在于，所述半導體發光元件還包括：透明導電層，設置于所述第一透明介電圖案與所述第一電極之間，且覆蓋所述第一透明介電圖案以及至少部分的所述第一半導體層。

8.根據權利要求6所述的半導體發光元件，其特征在于，所述至少一個空穴為多個空穴，這些空穴還包括至少一個第二空穴，所述第二透明介電圖案與所述第二半導體層間具有所述至少一個第二空穴。

9.根據權利要求6所述的半導體發光元件，其特征在于，所述至少一個空穴還包括至少一個第二空穴，所述第二透明介電圖案與所述第二半導體層間具有所述至少一個第二空穴，且所述至少一個第二空穴的開口方向與所述第二電極的延伸方向平行。

10.一種半導體發光元件，其特征在于，包括：

發光半導體結構，所述發光半導體結構包括：

第一半導體層；

第二半導體層，相對于所述第一半導體層；以及

發光層，位于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間；

第一透明介電圖案，配置于所述第一半導體層上方；

第二透明介電圖案，配置于所述第二半導體層上方；

第一電極，配置于所述第一透明介電圖案上方；以及

第二電極，配置于所述第二透明介電圖案上方且與所述第一電極分離，其中所述第一透明介電圖案與所述第二透明介電圖案至少其中之一與所述發光半導體結構間具有至少一個空穴，且所述至少一個空穴與所述第一電極、所述第二電極至少其中之一相對，所述至少一個空穴為至少一個第二空穴，所述第二透明介電圖案與所述第二半導體層間具有所述至少一個第二空穴，且所述至少一個第二空穴的開口方向與所述第二電極的延伸方向平行。