[發明專利]具有掩埋柵極電極和柵極接觸的半導體器件

在審

• 申請號: 201410334273.X
• 申請日: 2014-07-14
• 公開（公告）號: CN104299987A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: R·西明耶科;M·胡茨勒;O·布蘭科
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/28
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種半導體器件，包括：

柵極電極，掩埋在半導體部分中，所述柵極電極包括第一柵極部分和第二柵極部分，所述第一柵極部分在與所述半導體部分的主表面平行的縱向中心軸的第一側上，所述第二柵極部分在所述縱向中心軸的相對的第二側上；以及

至少一個第一柵極接觸，從由所述主表面限定的主側延伸到所述第一柵極部分中。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，包括：

至少一個第二柵極接觸，從所述主側延伸到所述第二部分中。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，包括：

柵極布線，在所述主側處電連接到所述第一柵極接觸和所述第二柵極接觸。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，包括：

電介質結構，在所述柵極布線與所述柵極電極之間。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其中

所述第一柵極接觸和所述第二柵極接觸沿著與所述主表面平行且與所述縱向中心軸正交的橫向軸布置。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述柵極電極包括第三柵極部分，所述第三柵極部分在結構上連接所述第一柵極部分和所述第二柵極部分并且具有比所述第一柵極部分和所述第二柵極部分的垂直擴展更小的、與所述主表面垂直的垂直擴展。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，包括：

場電極，與所述柵極電極介電絕緣并被布置在柵極電極的、在所述柵極電極和所述半導體部分的后側表面之間的橫向截面區域的垂直投影中，所述后側表面和所述主表面彼此平行。

8.根據權利要求2所述的半導體器件，其中

所述第一柵極接觸和所述第二柵極接觸具有相同的橫向截面形狀和相同的垂直擴展。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述柵極電極150的朝向所述主表面的頂表面是凹形的。

10.根據權利要求2所述的半導體器件，包括：

半導體臺面中的與掩埋的所述柵極電極鄰接的有源晶體管區域，其中柵極電介質將所述柵極電極與所述半導體臺面介電絕緣，并且

所述第一接觸結構和所述第二接觸結構距所述柵極電介質的最小橫向距離至少為20nm。

11.根據權利要求2所述的半導體器件，其中

所述第一柵極接觸和所述第二柵極接觸沿著所述縱向中心軸交替布置。

12.根據權利要求2所述的半導體器件，其中

所述主表面下方的所述第一柵極接觸和所述第二柵極接觸的分區與所述縱向中心軸間隔開。

13.根據權利要求2所述的半導體器件，其中

所述第一柵極接觸和所述第二柵極接觸關于所述縱向中心軸鏡面對稱布置。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

兩個或更多個第一柵極接觸從所述主側延伸到所述第一部分中。

15.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在半導體襯底中提供掩埋電極結構，所述掩埋電極結構包括柵極電極，所述柵極電極包括第一柵極部分和第二柵極部分，所述第一柵極部分在與所述半導體部分的主表面平行的縱向中心軸的第一側上，所述第二柵極部分在所述縱向中心軸的相對的第二側上；以及

提供至少第一柵極接觸，所述第一柵極接觸從由所述主表面限定的主側延伸到所述第一柵極部分中。

16.根據權利要求15所述的方法，還包括：

與所述至少一個第一柵極接觸同時地提供至少一個第二柵極接觸，所述第二柵極接觸從所述主側延伸到所述第二柵極部分中。

17.根據權利要求15所述的方法，還包括：

形成對在所述掩埋電極結構之間的半導體臺面中形成的雜質區的源極接觸，其中使用單一光刻掩膜限定所述源極接觸和所述柵極接觸的接觸凹槽。

18.根據權利要求15所述的方法，還包括：

在所述接觸凹槽中提供所述源極接觸和所述柵極接觸之前，通過所述源極接觸和所述柵極接觸的接觸凹槽的底部區域注入雜質。