[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其制法與定位構(gòu)形在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410333328.5 | 申請日: | 2014-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN105225966A | 公開(公告)日: | 2016-01-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 戴瑞豐;黃曉君;盧俊宏;許習(xí)彰;陳仕卿 | 申請(專利權(quán))人: | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制法 定位 構(gòu)形 | ||
1.一種封裝結(jié)構(gòu)的制法,其包括:
提供一具有相對的第一表面與第二表面的基部,該基部中埋設(shè)有至少一電子元件,且位于該電子元件周圍設(shè)有至少一定位單元,該定位單元相對該第一表面突起、齊平或?yàn)閮烧叩慕M合者,又該電子元件具有相對的主動面與非主動面,該主動面上并具有多個(gè)電極墊;以及
形成至少一線路層于該基部的第一表面與該電子元件上,且該線路層藉由該定位單元對位連接該電子元件。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該定位單元具有接觸該基部的定位本體與設(shè)于該定位本體上的定位部。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該定位本體為自該第一表面突起的塊體。
4.如權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該定位本體部分嵌埋于該基部的第一表面下。
5.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該定位本體埋入該基部中且齊平于該第一表面。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該定位部為自該第一表面凹下的開口。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該開口蝕刻該定位本體而形成者。
8.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,形成該定位單元的制程包括:
提供一具有開口的定位本體;以及
將該定位本體嵌埋于該基部的第一表面下,且該開口外露于該第一表面,使該開口自該第一表面凹下。
9.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該定位本體為金屬塊或非金屬塊。
10.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該定位部為至少一定位墊。
11.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,形成該定位部的材質(zhì)為金屬材、絕緣材、半導(dǎo)體材或其至少任二者的組合。
12.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該定位單元為自該第一表面突起的塊體。
13.如權(quán)利要求11所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該定位單元部分嵌埋于該基部的第一表面下。
14.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該定位單元為表面齊平該第一表面的塊體。
15.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,形成該線路層的制程包括:
形成阻層于該基部的第一表面、定位單元與該電子元件上;
形成多個(gè)開口區(qū)于該阻層上,以令該開口區(qū)對應(yīng)該電子元件,且利用該定位單元以定位該些開口區(qū);
形成該線路層于該些開口區(qū)中;以及
移除該阻層。
16.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,形成該定位單元的材質(zhì)包含金屬材或非金屬材。
17.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該定位單元相對該第一表面突起時(shí),該線路層于對應(yīng)該定位單元的位置形成有非平整部,使該線路層藉由該定位單元對位連接該電子元件。
18.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該定位單元相對該第一表面齊平時(shí),該定位單元與該基部的材質(zhì)不同,使該線路層藉由該定位單元對位連接該電子元件。
19.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該電子元件的主動面外露于該基部的第一表面,使各該電極墊電性連接該線路層。
20.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該電子元件為主動元件、被動元件或其二者的組合。
21.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該線路層包含介電部與結(jié)合該介電部的線路部,且該線路部電性連接該電子元件的電極墊。
22.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法,其特征為,該制法還包括于形成該線路層后,進(jìn)行切單制程,以移除該定位單元。
23.一種定位構(gòu)形,其包括:
一基部,其具有相對的第一表面與第二表面;以及
至少一定位單元,其接觸該基部且相對該第一表面突起、齊平或?yàn)閮烧叩慕M合者。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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